深圳平创半导体有限公司;重庆平创半导体研究院有限责任公司任真伟获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳平创半导体有限公司;重庆平创半导体研究院有限责任公司申请的专利一种功率模块封装结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223401602U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422393596.8，技术领域涉及：H01L23/49；该实用新型一种功率模块封装结构是由任真伟;王晓设计研发完成，并于2024-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种功率模块封装结构在说明书摘要公布了：本申请提供一种功率模块封装结构，包括：散热底板；直接覆铜陶瓷基板，其设置于所述散热底板上，所述直接覆铜陶瓷基板上设置有第一组功率端子和部分交叠且用于导流反向电流的第二组功率端子；中框，其与所述散热底板固定连接以将所述直接覆铜陶瓷基板套接在所述中框内，其中所述直接覆铜陶瓷基板通过所述中框将所述第一组功率端子和所述第二组功率端子引出至背离所述散热底板的一侧，所述中框背离所述散热底板的一侧还设置有信号端子，所述信号端子通过键合线与所述直接覆铜陶瓷基板的信号连接端电性连接；盖板，其设置于所述中框背离所述散热底板的一侧，以将所述直接覆铜陶瓷基板密封在所述中框内。本申请可有效提高器件的抗振能力。
本实用新型一种功率模块封装结构在权利要求书中公布了：1.一种功率模块封装结构，其特征在于，包括： 散热底板； 直接覆铜陶瓷基板，其设置于所述散热底板上，所述直接覆铜陶瓷基板上设置有第一组功率端子和部分交叠且用于导流反向电流的第二组功率端子； 中框，其与所述散热底板固定连接以将所述直接覆铜陶瓷基板套接在所述中框内，其中所述直接覆铜陶瓷基板通过所述中框将所述第一组功率端子和所述第二组功率端子引出至背离所述散热底板的一侧，所述中框背离所述散热底板的一侧还设置有信号端子，所述信号端子通过键合线与所述直接覆铜陶瓷基板的信号连接端电性连接； 盖板，其设置于所述中框背离所述散热底板的一侧，以将所述直接覆铜陶瓷基板密封在所述中框内。
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