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龙图腾网获悉湖北第二师范学院申请的专利一种集成CIS-TSV技术与FOPLP技术的芯片封装结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223402762U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422654134.7，技术领域涉及：H10F39/18；该实用新型一种集成CIS-TSV技术与FOPLP技术的芯片封装结构是由刘吉康;李莎;刘秀峰;蔡新添;戴楚;王怀兴;王筠设计研发完成，并于2024-11-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种集成CIS-TSV技术与FOPLP技术的芯片封装结构在说明书摘要公布了：一种集成CIS‑TSV技术与FOPLP技术的芯片封装结构，包括晶圆级玻璃承载板、晶圆级CIS芯片；将晶圆级CIS芯片与承载板键合在一起，并其上设置第一导电通孔结构；且设置第一金属重布线层，将多块晶圆级CIS芯片粘贴在承载板上形成板级复合体；在其上设置第一塑封层并在其上粘贴第二芯片并形成第二塑封层；在第二塑封层上依次设置第二第三导电通孔结构和形成第二层金属充布线层；在其上依次设置绝缘层、导电结构通孔及第三层金属重布线层；在第三层金属重布线层上植球，拆除板级承载板和粘贴膜；切割得到单颗芯片。该封装结构可实现CIS芯片与其他种类芯片集成并通过FOWLP技术完成封装工艺，在实现不同种类芯片集成的同时，能极大的提高封装效率，显著降低加工成本。

本实用新型一种集成CIS-TSV技术与FOPLP技术的芯片封装结构在权利要求书中公布了：1.一种集成CIS‑TSV技术与FOPLP技术的芯片封装结构，其特征在于，包括晶圆级玻璃承载板10、晶圆级CIS芯片12；所述晶圆级玻璃承载板10上设有围堰结构11； 将所述晶圆级CIS芯片12与晶圆级玻璃承载板10键合在一起； 在键合后的晶圆级CIS芯片背面设有第一导电通孔结构204； 在第一导电通孔结构204处设置第一金属重布线层15，将设有第一金属重布线层15的多块晶圆级CIS芯片粘贴在板级承载板301上形成板级复合体；在所述板级复合体上设置第一塑封层16； 在板级复合体的第一塑封层16上粘贴第二芯片18；在板级复合体的第二芯片18上形成第二塑封层207； 在板级复合体上第二塑封层207上设置第二导电通孔结构208、第三导电通孔结构209； 在板级复合体的第二导电通孔结构208、第三导电通孔结构209上形成第二层金属充布线层21； 在板级复合体的第二层金属充布线层21上设置绝缘层22和导电结构通孔211； 在板级复合体的绝缘层22和导电结构通孔211上设置第三层金属重布线层23； 在板级复合体第三层金属重布线层23上植球，从板级复合体上拆除板级承载板和粘贴膜；切割得到单颗芯片。

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