东京毅力科创株式会社渡部诚一获国家专利权
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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利蚀刻方法及基板处理装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112349585B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010781745.1，技术领域涉及：H01L21/311；该发明授权蚀刻方法及基板处理装置是由渡部诚一;山田纮己;佐藤学设计研发完成，并于2020-08-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本蚀刻方法及基板处理装置在说明书摘要公布了：一种蚀刻方法，其对高度不同的多个基底层的损伤进行抑制，同时将各基底层上的氧化硅膜蚀刻至不同深度。该蚀刻方法包括准备基板的工序，该基板具有高度不同的第一基底层和第二基底层、形成在第一基底层和第二基底层上的氧化硅膜、以及形成在氧化硅膜上并且具有第一基底层和第二基底层上方的第二开口的掩模；使用第一气体对氧化硅膜进行蚀刻，使第一基底层暴露的工序；使用第二气体使沉积物在第一基底层上沉积，同时对第二基底层上方的氧化硅膜进行蚀刻的工序；以及使用第三气体将沉积在第一基底层上的沉积物去除，同时对第二基底层上方的氧化硅膜进行蚀刻的工序，其中，将使用第二气体进行蚀刻的工序和使用第三气体进行蚀刻的工序重复多次。
本发明授权蚀刻方法及基板处理装置在权利要求书中公布了：1.一种蚀刻方法，包括： 准备基板的工序，该基板具有第一基底层、形成在比所述第一基底层深的位置处的第二基底层、形成在所述第一基底层和所述第二基底层上的氧化硅膜、以及形成在所述氧化硅膜上的掩模，该掩模具有形成在所述第一基底层上方的第一开口和形成在所述第二基底层上方的第二开口； 使用第一气体从所述第一开口对所述氧化硅膜进行蚀刻，使所述第一基底层暴露的工序； 使用第二气体使沉积物在所述第一基底层上沉积，同时从所述第二开口对所述第二基底层上方的所述氧化硅膜进行蚀刻的工序；以及使用第三气体将沉积在所述第一基底层上的沉积物去除，同时从所述第二开口对所述第二基底层上方的所述氧化硅膜进行蚀刻的工序，其中，将使用所述第二气体进行蚀刻的工序和使用所述第三气体进行蚀刻的工序重复多次，所述第三气体包含第一含CF气体、以及氧气，所述第二气体包含与所述第一含CF气体不同的第二含CF气体、以及氧气。
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