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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利非易失性存储器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112670288B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011096938.X，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权非易失性存储器件是由安在昊;黄盛珉;任峻成;康范圭;李相炖设计研发完成，并于2020-10-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本非易失性存储器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种非易失性存储器件，该非易失性存储器件包括：模制结构，该模制结构包括在衬底上的多个栅电极，所述多个栅电极包括顺序地堆叠在衬底上的第一串选择线、第二串选择线和第三串选择线；沟道结构，其穿透模制结构并与每个栅电极相交；第一切割区域，其切割每个栅电极；第二切割区域，其在第一方向上与第一切割区域间隔开，并且切割每个栅电极；第一切割线，其在第一切割区域和第二切割区域之间切割第一串选择线；第二切割线，其在第一切割区域和第二切割区域之间切割第二串选择线；以及第三切割线，其在第一切割区域和第二切割区域之间切割第三串选择线。

本发明授权非易失性存储器件在权利要求书中公布了：1.一种非易失性存储器件，包括： 模制结构，其包括在衬底上的多个栅电极，所述多个栅电极包括顺序地堆叠在所述衬底上的第一串选择线、第二串选择线和第三串选择线； 沟道结构，其穿透所述模制结构并与所述多个栅电极中的每个相交； 第一切割区域，其切割所述多个栅电极中的每个； 第二切割区域，其在第一方向上与所述第一切割区域间隔开，并且切割所述多个栅电极中的每个； 第一切割线，其在所述第一切割区域和所述第二切割区域之间切割所述第一串选择线； 第二切割线，其在所述第一切割区域和所述第二切割区域之间切割所述第二串选择线；以及第三切割线，其在所述第一切割区域和所述第二切割区域之间切割所述第三串选择线，其中： 所述第一切割线与所述第一切割区域间隔开第一距离，并与所述第二切割区域间隔开第二距离，所述第二切割线与所述第一切割区域间隔开第三距离，并与所述第二切割区域间隔开第四距离，所述第三切割线与所述第一切割区域间隔开第五距离，并与所述第二切割区域间隔开第六距离，所述第一距离与所述第二距离之间的第一差大于所述第五距离与所述第六距离之间的第三差，以及所述第三距离与所述第四距离之间的第二差大于所述第三差。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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