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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利基片处理装置、基片处理方法和存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112687575B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011077353.3，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权基片处理装置、基片处理方法和存储介质是由大塚幸信;高木慎介;久我恭弘;牛丸浩二;藤瀬辽平设计研发完成，并于2020-10-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本基片处理装置、基片处理方法和存储介质在说明书摘要公布了：本发明提供高效地回收升华物并且提高热处理对象的覆膜的膜厚均匀性的基片处理装置、基片处理方法和存储介质。本发明的一个方面的热处理装置包括：对形成有覆膜的基片实施热处理的热处理单元；和控制热处理单元的控制单元。上述热处理单元包括：支承并加热基片的加热部；罩住支承于加热部的基片的腔室；具有形成有多个释放孔的释放头部的气体释放部，其从多个释放孔向该基片的表面释放气体，其中多个释放孔分散地设置在与支承于加热部的基片相对的面上；外周排气部，其从比支承于加热部的基片的周缘靠外侧的外周区域对腔室内的处理空间进行排气；和中心排气部，其从比支承于加热部的基片的周缘靠内侧的中心区域对处理空间进行排气。

本发明授权基片处理装置、基片处理方法和存储介质在权利要求书中公布了：1.一种基片处理装置，其特征在于，包括： 对形成有覆膜的基片实施热处理的热处理单元；和控制所述热处理单元的控制单元，所述热处理单元包括： 支承并加热所述基片的加热部； 罩住支承于所述加热部的所述基片的腔室； 具有形成有多个释放孔的释放头部的气体释放部，其从所述多个释放孔向该基片的表面释放气体，其中所述多个释放孔分散地设置在与支承于所述加热部的所述基片相对的面上； 外周排气部，其从比支承于所述加热部的所述基片的周缘靠外侧的外周区域对所述腔室内的处理空间进行排气；和中心排气部，其从比支承于所述加热部的所述基片的周缘靠内侧的中心区域对所述处理空间进行排气，所述腔室以在所述外周区域形成有连接所述处理空间与所述腔室外的空间的连通部的状态，罩住所述加热部上的所述基片，所述外周排气部包括在所述连通部开口的外周排气孔，经由该外周排气孔和所述连通部对所述处理空间进行排气，所述腔室包括： 保持所述加热部的保持部；和盖部，所述盖部以在其与所述保持部之间形成有间隙以使得从上方罩住所述加热部上的所述基片的状态配置，所述保持部与所述盖部之间的所述间隙作为所述连通部发挥作用。

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