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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十五研究所申请的专利一种宽带高效GaN内匹配功率管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112737525B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110057384.0，技术领域涉及：H03F1/56；该发明授权一种宽带高效GaN内匹配功率管是由钟世昌;时晓航;景少红;王帅;李飞;曹建强;杨文琪设计研发完成，并于2021-01-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种宽带高效GaN内匹配功率管在说明书摘要公布了：本发明涉及一种新型宽带高效GaN内匹配功率管，其输入、输出均采用多级阻抗变换形式的带通匹配网络，将匹配元件制作在陶瓷基片上；在靠近GaNHEMT管芯栅端位置通过并联一段电感、电容、电阻串联电路到地与GaNHEMT的Cgs串联电阻Rin组成一个并联谐振网络。通过优化使得该网络在基波频带内形成并联谐振，使输入阻抗在较宽的频带内实现效率匹配；同时该网络引入一定损耗，减小了低频增益，有效提高了放大器稳定性，改善驻波，并且扩展了带宽。引入串联电阻Rin，可以提升输入阻抗，阻抗的提升利于对大功率GaNHEMT器件实现宽带阻抗匹配。本发明有效的减小了GaNHEMT器件宽带匹配的实现难度，使得宽带高效GaN功率管的使用愈加广泛。

本发明授权一种宽带高效GaN内匹配功率管在权利要求书中公布了：1.一种宽带高效GaN内匹配功率管，其特征是包括输入匹配网络、GaN HEMT管芯、输出匹配网络，所述GaN HEMT管芯有两胞，两胞GaN HEMT管芯并联排列，所述输入匹配网络、输出匹配网络采用谐振网络匹配形式，采用分布式元件匹配，在每胞GaN HEMT管芯栅端或漏端旁通过分布电感、电阻与GaN HEMT管芯内的电容、电阻形成并联谐振网络，在基波频带内形成并联谐振，使得输入阻抗在宽带内接近最佳效率点，同时提升GaN HEMT输入阻抗； 所述并联谐振网络的品质因子Q为5，对应的相对带宽为20%； 所述输入匹配网络包含栅馈电部分，采用分布参数电路进行匹配，包括L1并联电感、Lin1第一级电感、Lin2第二级电感、Rin串联电阻、Cin电容、R1电阻和C1电容，组成Rin‑L1‑Lin1‑Cin‑Lin2 T型匹配网络，L1并联电感另一端串联连接R1电阻和C1电容，C1电容接地；其中L1并联电感、Lin1第一级电感、Lin2第二级电感采用介电常数小于20的低介电常数陶瓷制作，Cin电容采用介电常数大于70的高介电常数陶瓷制作； 所述L1并联电感使用分布参数电感，其单边电感值约为0.465nH， R1电阻阻值为0.75Ω，C1为陶瓷电容，容值为1000pF，具有去耦功能，Cgs为管芯栅源电容，最佳效率处的阻抗所对应容值约为1.2pFmm，单管芯电容值为66pF； 所述输出匹配网络包含漏馈电部分，采用分布参数电路进行匹配，包括L2并联电感、Lout1第一级电感、Lout2第二级电感、Cout电容、C2电容，组成L2‑Lout1‑Cout‑Lout2 T型匹配网络，L2并联电感另一端串联连接C2电容，C2电容接地；其中L2并联电感、Lout1第一级电感、Lout2第二级电感采用介电常数小于20的低介电常数陶瓷制作，Cout电容采用介电常数大于70的高介电常数陶瓷制作。

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