东京毅力科创株式会社日高章一郎获国家专利权
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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利基片处理方法和基片处理装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112786486B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011161126.9，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权基片处理方法和基片处理装置是由日高章一郎设计研发完成，并于2020-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本基片处理方法和基片处理装置在说明书摘要公布了：本发明提供基片处理方法和基片处理装置。实施方式的基片处理方法包括形成工序和处理工序。在形成工序中，通过将降低了氧浓度的碱处理液供给到基片，在基片形成碱处理液的液膜。在处理工序中，在基片形成有给定的厚度的液膜的状态下，供给碱处理液并且使基片旋转来对基片进行蚀刻。本发明能够提高形成于基片的孔的深度方向上的蚀刻量的均匀性。
本发明授权基片处理方法和基片处理装置在权利要求书中公布了：1.一种基片处理方法，其特征在于，包括： 形成工序，在使基片旋转的状态下，一边将降低了氧浓度的碱处理液供给到基片的外周部一边将冲洗液供给到所述基片的中心部，之后，停止供给所述降低了氧浓度的所述碱处理液并继续供给所述冲洗液，由此，用所述冲洗液置换所述基片的所述外周部处的所述降低了氧浓度的所述碱处理液，停止供给所述冲洗液，接着，将所述降低了氧浓度的所述碱处理液供给到所述基片的中心部，将所述冲洗液置换为所述降低了氧浓度的所述碱处理液，并且所述降低了氧浓度的碱处理液扩散到所述基片的整个表面，由此在所述基片形成所述降低了氧浓度的所述碱处理液的液膜；和处理工序，在所述基片形成有给定的厚度的所述液膜的状态下，供给所述降低了氧浓度的所述碱处理液并且使所述基片旋转来对所述基片进行蚀刻。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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