日月光半导体制造股份有限公司吕文隆获国家专利权
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龙图腾网获悉日月光半导体制造股份有限公司申请的专利半导体封装装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112992806B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110122120.9，技术领域涉及：H01L23/31；该发明授权半导体封装装置及其制造方法是由吕文隆设计研发完成，并于2021-01-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装装置及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开提供了半导体封装装置及其制造方法，通过减小与芯片电连接件接触的导电柱的面积，可以在重布线层和芯片之间键合过程中的芯片出现偏移的情况下仍可以实现重布线层中导电柱与芯片电连接件的接触，提高产品良率。
本发明授权半导体封装装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装装置，包括： 芯片组件，所述芯片组件包括至少一个芯片，所述芯片的主动面设有芯片电连接件； 粘合层，设于所述芯片组件上且包覆所述芯片组件； 重布线层，设于所述芯片组件上； 所述重布线层具有第一导电柱，所述第一导电柱穿过所述粘合层电连接所述重布线层和所述芯片电连接件，所述第一导电柱下表面周长和或面积小于所述芯片电连接件的上表面周长和或面积，所述第一导电柱上表面的周长和或面积大于所述第一导电柱下表面的周长和或面积，所述第一导电柱包括分别设于所述第一导电柱上部和下部的圆柱导电柱和倒圆台导电柱，所述圆柱导电柱的直径大于所述倒圆台导电柱的上表面直径，所述倒圆台导电柱部分嵌入所述重布线层。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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