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龙图腾网获悉浙江爱旭太阳能科技有限公司申请的专利一种选择性接触区域掩埋型太阳能电池及其背面接触结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113299772B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110627514.X，技术领域涉及：H10F77/20；该发明授权一种选择性接触区域掩埋型太阳能电池及其背面接触结构是由邱开富;王永谦;杨新强;陈刚设计研发完成，并于2021-06-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种选择性接触区域掩埋型太阳能电池及其背面接触结构在说明书摘要公布了：本发明适用于太阳能电池技术领域，提供了一种选择性接触区域掩埋型太阳能电池及其背面接触结构，该背面接触结构包括间隔设置于硅衬底背面的凹槽；交替设置在各个凹槽中的第一导电区和第二导电区，第一导电区包括依次设置于凹槽上的第一电介质层和第一掺杂区域，第二导电区包括第二掺杂区域；设置于第一导电区和第二导电区之间的第二电介质层，第二电介质层为至少一层；及设置在第一导电区和所述第二导电区上的导电层。本发明中提供的背面接触结构，解决了现有对于沟槽宽度控制要求高及钝化效果差的问题。

本发明授权一种选择性接触区域掩埋型太阳能电池及其背面接触结构在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池的背面接触结构，其特征在于，包括： 间隔设置于硅衬底背面的凹槽； 交替设置在各个所述凹槽中的第一导电区和第二导电区，所述第一导电区包括依次设置于所述凹槽上的第一电介质层和第一掺杂区域，所述第一电介质层及与其连接覆盖的所述第一掺杂区域共同形成钝化接触结构，所述第一电介质层与所述凹槽的底壁及侧壁均接触，所述第二导电区包括第二掺杂区域； 设置于所述第一导电区和所述第二导电区之间的第二电介质层，所述第二电介质层为至少一层；及设置在所述第一导电区和所述第二导电区上的导电层，多个第一导电区的厚度小于多个所述凹槽的深度，且所述第一电介质层与所述第一掺杂区封闭于多个所述凹槽内，所述第二电介质层包括第一部分、第二部分以及第三部分，所述第一部分覆盖所述第一掺杂区域的顶面，且所述第一部分设置于多个所述第一导电区的多个凹槽内，所述第二部分覆盖多个所述第二导电区的多个凹槽的侧壁以及所述第二导电区的顶面，并且所述第二部分设置在多个所述第二导电区的多个凹槽内，所述第三部分设置于所述第一部分与所述第二部分之间且覆盖于相邻凹槽之间的凸台上。

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