京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司刘艳获国家专利权
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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司申请的专利一种TFT阵列基板、显示面板及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113314548B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110720831.6，技术领域涉及：H10D86/40；该发明授权一种TFT阵列基板、显示面板及电子设备是由刘艳;杨国栋;王小元;吴忠山;蒲巡;陈俊明;万彬;滕征远;范志成设计研发完成，并于2021-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种TFT阵列基板、显示面板及电子设备在说明书摘要公布了：本公开实施例提供了一种TFT阵列基板、显示面板及电子设备，TFT阵列基板包括：多个GOA模型，一个GOA模型用于驱动一行像素；每个GOA模型包括多对TFT单元，每对TFT单元中的每个TFT单元包括多个TFT，多个TFT的三极组成TFT单元的三极走线，三极为栅极、源极和漏极；其中，每对所述TFT单元的第一TFT单元与第二TFT单元中三极走线排版的形状、大小均相同，第一TFT单元与第二TFT单元的三极走线中具有相同信号的电极走线中的一极或两极配置为共用走线。本公开实施例将每个GOA模型中每对TFT单元内具有相同信号的电极走线中的一极或两极配置为共用走线，进而减小GOA排版区所占空间。
本发明授权一种TFT阵列基板、显示面板及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种TFT阵列基板，其特征在于，包括： 多个GOA模型，一个所述GOA模型用于驱动一行像素； 每个所述GOA模型包括多对TFT单元，每对TFT单元中的每个所述TFT单元包括多个TFT，多个所述TFT的三极组成每个所述TFT单元的三极走线，所述三极为栅极、源极和漏极；源极走线和漏极走线分布在一层，栅极走线单独处于一层，其中，每对所述TFT单元的第一TFT单元与第二TFT单元中所述三极走线排版的形状、大小均相同，所述第一TFT单元与所述第二TFT单元的所述三极走线中具有相同信号的电极走线中的一极或两极配置为共用走线； 在所述第一TFT单元与所述第二TFT单元具有相同的源极信号和漏极信号时，所述第一TFT单元与所述第二TFT单元的所述源极走线配置为共用走线。
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