硅存储技术股份有限公司H·V·特兰获国家专利权
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龙图腾网获悉硅存储技术股份有限公司申请的专利用于深度学习人工神经网络中的模拟神经存储器的精密编程电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113366573B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980090685.4，技术领域涉及：G11C11/54；该发明授权用于深度学习人工神经网络中的模拟神经存储器的精密编程电路是由H·V·特兰;T·乌;S·特林;A·李;S·洪设计研发完成，并于2019-09-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于深度学习人工神经网络中的模拟神经存储器的精密编程电路在说明书摘要公布了：本发明公开了高电压生成电路、高电压运算放大器、自适应高电压源、可调高电压增量器、可调参考电源和参考电路的各种实施方案。这些电路可任选地用于对模拟神经存储器中的非易失性存储器单元进行编程以存储许多可能值中的一个可能值。
本发明授权用于深度学习人工神经网络中的模拟神经存储器的精密编程电路在权利要求书中公布了：1.一种可调编程电路，所述可调编程电路配置成生成多个不同电压中的一个电压，以对非易失性存储器单元进行编程，从而将多个不同电压中的一个电压存储在用于神经网络的所述非易失性存储器单元的浮栅上，所述可调编程电路包括： 运算放大器，所述运算放大器包括第一输入端子、第二输入端子和输出端子，所述第一输入端子接收参考电压； 第一电阻器，所述第一电阻器包括耦接到所述运算放大器的所述第二输入端子的第一端子、以及接收输入电压的第二端子； 第二电阻器，所述第二电阻器耦接到所述运算放大器的所述第二输入端子和所述运算放大器的所述输出端子； 其中所述第一电阻器和所述第二电阻器中的一者为可变电阻器；以及电阻微调电路网络； 其中所述输出端子输出编程电压，所述编程电压是通过向所述输入电压施加增益来生成的，其中所述增益响应于由所述电阻微调电路网络对所述可变电阻器的电阻的调整而变化，并被用来对所述非易失性存储器单元进行编程。
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