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龙图腾网获悉富士电机株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113454789B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080011718.4，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权半导体装置是由大井幸多;伊仓巧裕;樱井洋辅;北村睦美;小野泽勇一;加藤由晴;安喰彻设计研发完成，并于2020-08-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：提供一种半导体装置，其具备：第一导电型的漂移区，其设置于半导体基板；以及第一导电型的缓冲区，其设置于漂移区与半导体基板的下表面之间，并在半导体基板的深度方向上具有3个以上的掺杂浓度比漂移区的掺杂浓度高的浓度峰，3个以上的浓度峰包含：最浅峰，其最接近半导体基板的下表面；高浓度峰，其配置于比最浅峰更远离半导体基板的下表面的位置；以及低浓度峰，其配置于比高浓度峰更远离半导体基板的下表面的位置，且掺杂浓度为高浓度峰的掺杂浓度的15以下。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，具备： 第一导电型的漂移区，其设置于半导体基板；以及第一导电型的缓冲区，其设置于所述漂移区与所述半导体基板的下表面之间，并在所述半导体基板的深度方向上具有4个以上的掺杂浓度比所述漂移区的掺杂浓度高的浓度峰，4个以上的所述浓度峰包含： 最浅峰，其最接近所述半导体基板的所述下表面； 高浓度峰，其配置于比所述最浅峰更远离所述半导体基板的所述下表面的位置；以及2个以上的低浓度峰，其配置于比所述高浓度峰更远离所述半导体基板的所述下表面的位置，2个以上的所述低浓度峰中的至少2个所述低浓度峰的峰值为所述高浓度峰的峰值的15以下，所述最浅峰的掺杂浓度比所述高浓度峰的掺杂浓度高，将所述最浅峰设为第一峰，将所述第一峰的从所述下表面起算的深度位置设为Z1，将所述高浓度峰设为第二峰，将所述第二峰的从所述下表面起算的深度位置设为Z2，将所述低浓度峰中被配置为最远离所述下表面的最深峰设为第四峰，将所述第四峰的从所述下表面起算的深度位置设为Z4，将所述低浓度峰中位于所述第四峰的靠所述下表面侧的峰设为第三峰，将所述第三峰的从所述下表面起算的深度位置设为Z3，距离Z4‑Z3比距离Z3‑Z2大。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人富士电机株式会社，其通讯地址为：日本神奈川县川崎市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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