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龙图腾网获悉北京森海晨阳科技有限责任公司申请的专利一种超低电源电压检测电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113866486B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111239937.0，技术领域涉及：G01R19/00；该发明授权一种超低电源电压检测电路是由陈海征设计研发完成，并于2021-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种超低电源电压检测电路在说明书摘要公布了：本公开涉及一种超低电源电压检测电路，包括：基准电压电路，基准电压电路接入待测电源电压，基准电压电路用于输出基准电压；其中，基准电压与待测电源电压以及超低电源电压检测电路所处环境的温度无关；电压检测电路，电压检测电路包括上拉压控电流源和下拉恒流源，上拉压控电流源接入待测电源电压，下拉恒流源接入基准电压，电压检测电路用于根据基准电压实现对待测电源电压的检测；其中，电压检测电路的输出电压在待测电源电压升高至预设值时与待测电源电压一致。通过本公开的技术方案，实现了对超低电源电压的电压值检测。

本发明授权一种超低电源电压检测电路在权利要求书中公布了：1.一种超低电源电压检测电路，其特征在于，包括： 基准电压电路，所述基准电压电路接入待测电源电压，所述基准电压电路用于输出基准电压；其中，所述基准电压与所述待测电源电压以及所述超低电源电压检测电路所处环境的温度无关； 所述基准电压电路包括：稳压电路、栅压产生电路、衬压产生电路和基准产生电路，所述稳压电路分别与所述栅压产生电路、所述衬压产生电路和所述基准产生电路电连接，所述基准产生电路分别与所述栅压产生电路和所述衬压产生电路电连接； 所述稳压电路接入所述待测电源电压并用于输出内部电源电压至所述栅压产生电路、所述衬压产生电路和所述基准产生电路；其中，所述内部电源电压与所述待测电源电压无关； 所述基准产生电路用于根据所述栅压产生电路输出的栅极电压和所述衬压产生电路输出的衬底电压输出所述基准电压； 所述稳压电路包括： 第一N型晶体管，所述第一N型晶体管的栅极与所述第一N型晶体管的源极电连接，所述第一N型晶体管的漏极接入所述待测电源电压，所述第一N型晶体管的衬底接地； 第一P型晶体管，所述第一P型晶体管的栅极以及所述第一P型晶体管漏极接地，所述第一P型晶体管的源极与所述第一P型晶体管的衬底以及所述第一N型晶体管的源极电连接并输出所述内部电源电压； 所述栅压产生电路包括： 第二P型晶体管，所述第二P型晶体管的栅极与所述第二P型晶体管的漏极电连接，所述第二P型晶体管的衬底与所述第二P型晶体管的源极电连接并接入所述内部电源电压； 第二N型晶体管，所述第二N型晶体管的栅极、所述第二N型晶体管的源极以及所述第二N型晶体管的衬底均接地，所述第二N型晶体管的漏极与所述第二P型晶体管的漏极电连接并输出所述栅极电压； 所述衬压产生电路包括： 第三P型晶体管，所述第三P型晶体管的栅极与所述第三P型晶体管的漏极电连接，所述第三P型晶体管的衬底与所述第三P型晶体管的源极电连接并接入所述内部电源电压； 第三N型晶体管，所述第三N型晶体管的栅极、所述第三N型晶体管的源极以及所述第三N型晶体管的衬底接地，所述第三N型晶体管的漏极与所述第三P型晶体管的漏极电连接并输出所述衬底电压； 所述基准产生电路包括： 第四P型晶体管，所述第四P型晶体管的栅极接入所述栅极电压，所述第四P型晶体管的源极接入所述内部电源电压，所述第四P型晶体管的衬底接入所述衬底电压； 第四N型晶体管，所述第四N型晶体管的栅极、所述第四N型晶体管的漏极以及所述第四P型晶体管的漏极电连接并输出所述基准电压，所述第四N型晶体管的源极以及所述第四N型晶体管的衬底接地； 所述稳压电路利用衬底偏置效应降低所述第四P型晶体管的阈值电压；在所述衬底偏置效应影响下，所述第四P型晶体管PM4的阈值电压VTH4P为： 其中，VTH4P0为没有衬底偏置效应时第四P型晶体管的阈值电压，γ为衬底偏置效应系数，VSB为第四P型晶体管的源极和衬底之间的电压差，ΦF为第四P型晶体管的费米电势； 被降低阈值电压的所述第四P型晶体管和所述第四N型晶体管串联产生与温度无关的所述基准电压； 所述基准电压的计算公式为： 其中，VREF为所述基准电压，k＝μCOX，m＝1+CdCOX，μ为MOS晶体管衬底中电子的迁移率，COX为MOS晶体管中栅极单位电容量，Cd为MOS晶体管单位面积耗尽层电容，W为MOS晶体管沟道的宽度，L为MOS晶体管沟道的长度，VT为热电压，VGS为MOS晶体管的栅极和源极之间的电压，VTH为MOS晶体管的阈值电压；所述基准电压的计算公式中角标包含4和P的参数为所述第四P型晶体管对应的参数，所述基准电压的计算公式中角标包含4和N的参数为所述第四N型晶体管对应的参数；所述基准电压的计算公式中角标包含2和P的参数为所述第二P型晶体管对应的参数，所述基准电压的计算公式中中角标包含2和N的参数为所述第二N型晶体管对应的参数； 电压检测电路，所述电压检测电路包括上拉压控电流源和下拉恒流源，所述上拉压控电流源接入所述待测电源电压，所述下拉恒流源接入所述基准电压，所述电压检测电路用于根据所述基准电压实现对所述待测电源电压的检测；其中，所述电压检测电路的输出电压在所述待测电源电压升高至预设值时与所述待测电源电压一致； 所述待测电源电压为超低电源电压；所述基准电压电路不包括低阈值晶体管；所述基准电压电路和所述电压检测电路所包括的晶体管均采用标准CMOS工艺的晶体管。

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