长江先进存储产业创新中心有限责任公司杨红心获国家专利权
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龙图腾网获悉长江先进存储产业创新中心有限责任公司申请的专利相变存储器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113871530B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111323680.7，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权相变存储器及其制造方法是由杨红心;周凌珺;刘峻设计研发完成，并于2021-11-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本相变存储器及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种相变存储器及其制造方法，采用选择性工艺在选通层的侧壁上形成侧壁阻挡层，能增强选通层与相邻相变存储单元之间的间隙中的线性阻挡层、间隙填充层等膜层之间的粘附性，阻挡选通层中的元素向外扩散以及阻挡外部的元素向选通层中扩散，进而改善器件性能。进一步地，当选用等离子体表面处理工艺来作为所述选择性工艺时，一方面能使得选通层中相应的元素损失和或改变，例如使得选通层所形成的选通管的边缘材料的能带间隙Eg增大，进而使得该选通管的导电丝更靠近器件中心，有利于改善器件的工作性能一致性，另一方面能通过等离子体与间隙侧壁上的选通层的材料发生化学反应而形成所需的侧壁阻挡层，简化工艺。
本发明授权相变存储器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种相变存储器的制造方法，其特征在于，包括： 形成相变存储堆叠层，所述相变存储堆叠层包括自下而上依次堆叠的底电极层、选通层、中间电极层、相变存储层和顶电极层； 由上至下刻蚀所述相变存储堆叠层以形成堆叠体，相邻堆叠体之间具有间隙，且所述间隙暴露出所述选通层的侧壁表面； 进行等离子体表面处理工艺，所述等离子体表面处理工艺在改变所述选通层内部的材料性能的同时，还提供等离子体与所述间隙侧壁上的所述选通层的材料发生化学反应，以在所述选通层的侧壁表面上选择性地形成第一侧壁阻挡层； 形成第二线性阻挡层，所述第二线性阻挡层覆盖包括所述第一侧壁阻挡层的表面在内的所述间隙的内表面上； 形成填充在所述间隙中的间隙填充层。
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