福建省晋华集成电路有限公司罗启仁获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利存储器及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113889474B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111276182.1，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权存储器及其制作方法是由罗启仁;张钦福;童宇诚设计研发完成，并于2021-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种存储器及存储器的制作方法，通过图案化衬底上的介质层形成位线沟槽，然后在位线沟槽内形成位线间隔层及位线结构。相比于现有技术，本发明先形成位线沟槽再形成位线结构，省去形成位线接触窗并在位线接触窗形成位线接触插塞的步骤，避免刻蚀形成位线接触插塞时导电材料在位线接触窗底部的残留，避免器件漏电流的问题，提高的器件的性能。
本发明授权存储器及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器，其特征在于，包括： 衬底，包括多个有源区以及一隔离结构包围所述多个有源区； 多个位线结构，位于所述衬底上，并与所述有源区直接接触； 侧墙间隔层，至少覆盖所述位线结构的侧壁，并沿部分所述位线结构的侧壁深入所述隔离结构； 其中，所述位线结构包括“U”型设置的扩散阻挡层、填充在所述扩散阻挡层内的导电层，及位于所述扩散阻挡层和所述导电层之上的遮蔽图案，所述扩散阻挡层与所述有源区直接接触，且所述导电层的底面低于所述衬底顶面。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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