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龙图腾网获悉北京航天微电科技有限公司申请的专利一种温度补偿滤波器的制备方法及温度补偿滤波器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113890499B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111151375.4，技术领域涉及：H03H3/04；该发明授权一种温度补偿滤波器的制备方法及温度补偿滤波器是由袁燕;边旭明;孟腾飞;徐浩;陈晓阳;陈瑞;史向龙;胡扬端瑞;于海洋;倪烨;段英丽;张倩;王君;时鹏程;闫彬;曹玉设计研发完成，并于2021-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种温度补偿滤波器的制备方法及温度补偿滤波器在说明书摘要公布了：本发明涉及一种微电子技术领域，具体涉及一种温度补偿滤波器的制备方法，包括在基片上镀键合区金属层，以及对所述键合区金属层以外的区域套刻光刻胶的步骤；还包括在所述键合区金属层上镀加厚金属层；剥离所述套刻的光刻胶；在所述加厚金属层以及其他区域上溅射温补膜；对所述温补膜进行平坦化处理，使所述加厚金属层暴露于所述温补膜之外。

本发明授权一种温度补偿滤波器的制备方法及温度补偿滤波器在权利要求书中公布了：1.一种温度补偿滤波器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 1、先对基片1进行清洗；清洗方法包括，采用电子清洗剂清洗、采用超声设备清洗、采用毛刷清洗、采用高压去离子水清洗中的一种； 2、采用图形光刻胶在所述基片1上光刻图形层5，所述图形层5部分的覆盖所述基片1； 所述光刻图形层5的步骤有匀胶、前烘、曝光、后烘以及显影； 采用一种市售的光刻胶，匀胶的转数为3000转分钟，前烘温度为94℃，前烘时间为2min，曝光时间为380ms，后烘温度为94℃，显影时间为8s； 所述图形层5的厚度高于键合区金属层2的厚度； 3、在所述图形层5上和未被所述图形层5覆盖的所述基片1上镀金属膜； 通过电子束蒸发台对金属膜中的Ti，Cu，Al进行沉积，实现镀金属膜的过程； 4、剥离所述图形层5以及覆盖于所述图形层5上的所述金属膜，未被剥离的所述金属膜中，接近所述基片1边缘的所述金属膜为所述键合区金属层2； 完成步骤3中对所述金属膜的沉积后，将其浸泡于光刻胶剥离液中，再使用剥离机进行剥离； 5、制作与键合区对应的掩模版，并将所述掩模版覆盖在所述基片1上；采用光刻胶对所述键合区金属层2以外的区域进行套刻，得到套刻层3； 所述套刻的步骤为匀胶、前烘、曝光、后烘以及显影； 采用另一种市售的套刻光刻胶，套刻的匀胶转数为5000转分钟，套刻的前烘温度为94℃，套刻的前烘时间为2min，套刻的曝光时间为10s，套刻的后烘温度为94℃，套刻的后烘时间为2min，套刻的显影时间为18s； 所述套刻层3的厚度大于所述键合区金属层2与加厚金属层21的厚度之和； 6、对所述键合区金属层2进行加厚处理：在光刻胶以及所述键合区金属层2上镀加厚金属膜，得到加厚金属层21； 采用电子束蒸发台对加厚金属膜中的Al进行沉积，实现镀所述加厚金属膜的过程；所述键合区金属层2与所述加厚金属层21的厚度之和为1.6μm； 7、剥离所述套刻层3及覆盖于其上的所述加厚金属膜；将其浸泡于光刻胶剥离液中，稍后对其进行剥离； 8、在所述加厚金属层21以外的所述基片1上溅射温补膜4；通过磁控溅射设备进行所述温补膜4的SiO2沉积，沉积的厚度为2μm； 9、对所述温补膜4进行平坦化处理； 采用化学机械抛光法对所述温补膜4的表面进行处理，使所述加厚金属层21露出，用于键合； 最终，所述温补膜4与所述键合区金属层2和所述加厚金属层21的厚度之和相等，均为1.6μm。

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