上海华力微电子有限公司朱天志获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力微电子有限公司申请的专利NMOS管触发双向硅控整流器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113921517B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111153440.7，技术领域涉及：H10D84/60；该发明授权NMOS管触发双向硅控整流器是由朱天志设计研发完成，并于2021-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本NMOS管触发双向硅控整流器在说明书摘要公布了：本发明提供了一种NMOS管触发双向硅控整流器，包括：衬底；第一N阱、P阱及第二N阱，从左至右依次排列于所述衬底上方；第一NMOS管，包括N型栅极及位于所述N型栅极两侧的N型源漏区；两个P型掺杂区，分别位于所述第一N阱和所述第二N阱中；静电脉冲侦测电路，具有控制端口及两个电压端口，每个所述电压端口分别与对应的所述N型源漏区及对应的所述P型掺杂区电性连接，所述控制端口与所述N型栅极电性连接以向所述N型栅极输出控制电压控制所述第一NMOS管的通断；本发明降低了双向硅控整流器的触发电压，提高了其适用性。
本发明授权NMOS管触发双向硅控整流器在权利要求书中公布了：1.一种NMOS管触发双向硅控整流器，其特征在于，包括： 衬底； 第一N阱、P阱及第二N阱，从左至右依次排列于所述衬底上方； 第一NMOS管，包括N型栅极及位于所述N型栅极两侧的N型源漏区，所述N型栅极位于所述P阱上方，且所述N型栅极两侧的N型源漏区分别位于所述第一N阱与所述P阱的交界处和所述第二N阱与所述P阱的交界处； 两个P型掺杂区，分别位于所述第一N阱和所述第二N阱中，且每个所述P型掺杂区与对应的所述N型源漏区通过沟槽隔离结构隔离开，所述第一N阱、所述P阱及所述第二N阱的深度均大于所述N型栅极两侧的N型源漏区及两个所述P型掺杂区的深度； 静电脉冲侦测电路，具有控制端口及两个电压端口，每个所述电压端口分别与对应的所述N型源漏区及对应的所述P型掺杂区电性连接，两个所述电压端口之间具有电压差，所述控制端口与所述N型栅极电性连接以向所述N型栅极输出控制电压控制所述第一NMOS管的通断。
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