烟台睿创微纳技术股份有限公司刘继伟获国家专利权
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龙图腾网获悉烟台睿创微纳技术股份有限公司申请的专利一种非制冷红外探测器的像素级封装结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113948542B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111217019.8，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权一种非制冷红外探测器的像素级封装结构及其制作方法是由刘继伟;胡汉林;陈文礼;史杰;赵文广;王金华设计研发完成，并于2021-10-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种非制冷红外探测器的像素级封装结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种非制冷红外探测器的像素级封装结构及其制作方法，包括集成电路基板和设于集成电路基板上表面的像素器件；像素器件包括像素单元和设于像素单元一侧的吸气单元，吸气单元包括设于集成电路基板上表面的吸气剂层，支撑层，设于支撑层上表面的密封层；吸气单元中的空腔与像素单元的空腔连通；或者，像素器件包括设于集成电路基板上表面的吸气剂层和反射层，设于反射层上方且与反射层相对应的红外传感器单元。像素器件包括像素单元和设于像素单元一侧的吸气单元，吸气剂层并不设于像素单元中；或者像素器件中吸气剂层不与红外传感器单元对应，避免吸气剂层对红外传感器单元的影响，提升非制冷红外探测器性能。
本发明授权一种非制冷红外探测器的像素级封装结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种非制冷红外探测器的像素级封装结构，其特征在于，包括： 集成电路基板和设于所述集成电路基板上表面的像素器件； 所述像素器件包括设于所述集成电路基板上表面的吸气剂层和反射层，设于所述反射层上方且与所述反射层相对应的红外传感器单元；其中，所述吸气剂层设置在每个所述像素器件的拐角处的间隙位置； 所述像素器件还包括支撑层，对应位于所述吸气剂层上方的所述支撑层还包括向所述吸气剂层延伸的延伸部分，所述吸气剂层与所述支撑层的延伸部分之间存在间隙； 所述像素器件还包括设于所述支撑层上表面的密封层。
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