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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利三维NAND存储器器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113950742B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180003231.6，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权三维NAND存储器器件及其形成方法是由王雄禹;周毅;张莉;王新胜;罗兴安;张高升;夏余平;谢飞设计研发完成，并于2021-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本三维NAND存储器器件及其形成方法在说明书摘要公布了：在用于制造半导体器件的方法中，在衬底之上形成由交替的绝缘层和牺牲层构成的堆叠体。在所述堆叠体中形成具有多个台阶的阶梯，其中，所述多个台阶中的每一个具有踏板和竖板，并且还包括相应台阶的相应对的绝缘层和牺牲层，所述牺牲层位于所述绝缘层之上。沿所述多个台阶的所述踏板和所述竖板形成电介质层。所述电介质层掺杂有碳、磷、硼、砷和氧中的一种或者它们的组合。还利用导电材料替代所述牺牲层，以形成布置在所述绝缘层之间的字线层。多个字线触点被形成为从所述多个台阶的所述字线层延伸并且还延伸穿过所述电介质层。

本发明授权三维NAND存储器器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种用于制造半导体器件的方法，包括： 在衬底之上形成由交替的绝缘层和牺牲层构成的堆叠体； 在所述堆叠体中形成具有多个台阶的阶梯，所述台阶包括相应的绝缘层和牺牲层，所述牺牲层位于所述绝缘层之上； 在所述多个台阶上形成电介质层，所述电介质层掺杂有碳、磷、硼、砷和氧中的一种或者它们的组合； 利用导电材料替代所述牺牲层，以形成布置在所述绝缘层之间的字线层；以及形成从所述多个台阶的所述字线层延伸并且还延伸穿过所述电介质层的多个字线触点，其中，替代所述牺牲层还包括： 去除所述牺牲层和所述电介质层的与所述牺牲层接触的部分，以形成位于所述绝缘层之间的空间；以及在所述空间中填充所述导电材料，以形成位于所述绝缘层之间的所述字线层，其中，在所述多个台阶中的每一个中： 所述字线层与所述绝缘层相比在平行于所述衬底的方向上还延伸至所述电介质层中，并且所述字线层的被所述多个台阶中的上覆台阶的所述绝缘层覆盖的部分具有比所述字线层的未被所述多个台阶中的上覆台阶的所述绝缘层覆盖的至少部分更小的厚度。

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