长江存储科技有限责任公司吴林春获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利半导体器件、制作方法及三维存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114068577B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111288779.8，技术领域涉及：H10B43/27；该发明授权半导体器件、制作方法及三维存储器是由吴林春;张丽媛;张坤;周文犀设计研发完成，并于2021-11-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件、制作方法及三维存储器在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体器件、制作方法及三维存储器，半导体器件的制作方法包括：形成半导体结构，半导体结构包括衬底、位于衬底上包括交替堆叠的栅极层和绝缘层的堆叠结构、贯穿堆叠结构并延伸到衬底中的沟道结构以及贯穿堆叠结构并将堆叠结构分割为若干部分的栅线缝隙；在栅线缝隙内形成第一填充层；在第一填充层的至少部分内壁形成第二填充层；其中，第一填充层的材料包括氧化物，第二填充层的材料包括非晶硅，第一填充层和第二填充层构成栅线缝隙结构，通过在栅线缝隙中形成材料不同的第一填充层和第二填充层，调整半导体器件在水平方向和竖直方向的翘曲值，从而改善半导体器件的翘曲问题，以提高半导体器件的产品良率。
本发明授权半导体器件、制作方法及三维存储器在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括： 形成半导体结构，所述半导体结构包括衬底、位于衬底上包括交替堆叠的栅极层和绝缘层的堆叠结构、贯穿所述堆叠结构并延伸到所述衬底中的沟道结构以及贯穿所述堆叠结构并将所述堆叠结构分割为若干部分的栅线缝隙； 在所述栅线缝隙内形成第一填充层； 在所述第一填充层的至少部分内壁形成第二填充层； 其中，所述第一填充层的材料包括氧化物，所述第二填充层的材料包括非晶硅，所述第二填充层的材料掺杂有碳元素。
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