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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利增强型GaN基复合开关器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114141872B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111439008.4，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权增强型GaN基复合开关器件及其制作方法是由毛维;裴晨;杨翠;杜鸣;马佩军;张鹏;张进成;郝跃设计研发完成，并于2021-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本增强型GaN基复合开关器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种增强型GaN基复合开关器件及其制作方法，主要解决现有氮化镓基增强型功率开关器件的只能单向导通和单向阻断问题。其自下而上包括：衬底、过渡层、势垒层和钝化层，势垒层上部左、右两侧分别设有m个左、右P‑GaN岛，该左右岛的前、后两侧分别设有左、右隔离槽，且左岛左侧交叉分布有左源极与左阳极，该左源极与左阳极通过左电极连接，右岛右侧交叉分布有右源极与右阳极，该右源极与右阳极被右电极连接，左、右岛上分别为左、右栅极，这些栅极被钝化层部分覆盖，且左右岛与对应的右左阳极之间，均通过势垒层连接，形成二极管与三极管复合结构。本发明能提升器件集成度，实现双向导通和双向阻断特性，可作为功率开关器件。

本发明授权增强型GaN基复合开关器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种增强型GaN基复合开关器件，自下而上包括：衬底1、过渡层2、势垒层3和钝化层8；其特征在于： 所述势垒层3上部左、右两侧分别设置有m个等间距平行排列的左P‑GaN岛4和m个等间距平行排列的右P‑GaN岛5，每个左P‑GaN岛4的前、后两侧均设有左隔离槽6，每个右P‑GaN岛5的前、后两侧均设有右隔离槽7，这些左P‑GaN岛4与这些右P‑GaN岛5交叉分布； 所述m个左P‑GaN岛4的左侧均设有左源极9，m个右P‑GaN岛5的左侧均设有左阳极11，各左源极9和各左阳极11左侧并行设有左电极13，这些源极和阳极被该左电极部分覆盖且电气连接； 所述m个左P‑GaN岛4的右侧均设有右阳极12，m个右P‑GaN岛5的右侧均设有右源极10，各右源极10和各右阳极12右侧并行设有右电极14，这些源极和阳极被该右电极部分覆盖且电气连接； 所述m个左P‑GaN岛4上部均设有左栅极15，m个右P‑GaN岛5上部均设有右栅极16，这些左、右栅极的两侧和m个左、右P‑GaN岛均由钝化层8覆盖，且这些左栅极15下部的左P‑GaN岛4与其对应的右阳极12之间，以及这些右栅极16下部的右P‑GaN岛5与其对应的左阳极11之间均通过势垒层3连接，形成二极管与三极管的复合结构。

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