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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利一种浮栅型分栅闪存器件的制备方法及器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114156272B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111499000.7，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权一种浮栅型分栅闪存器件的制备方法及器件是由许昭昭设计研发完成，并于2021-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种浮栅型分栅闪存器件的制备方法及器件在说明书摘要公布了：本发明提供一种浮栅型分栅闪存器件的制备方法，包括，提供一衬底，于所述衬底上对应所述P型阱区的位置形成选择栅结构，并于所述选择栅结构上方形成第一控制栅结构；所述选择栅结构及所述第一控制栅结构两侧分别形成对称的“L”型凹陷向外的浮栅结构；分别于所述浮栅结构的凹陷位置形成第二控制栅结构；分别于所述第二控制栅结构及所述浮栅结构底部背，向所述第一控制栅结构的一侧形成侧墙结构。本发明技术方案的有益效果为：内外侧的第一控制栅结构及第二控制栅结构通过对“L”型的浮栅结构最主要的三个面形成交叠面，大大提升了第一控制栅结构及第二控制栅结构至浮栅结构的耦合系数，同时减小了选择栅结构至浮栅结构的耦合系数。

本发明授权一种浮栅型分栅闪存器件的制备方法及器件在权利要求书中公布了：1.一种浮栅型分栅闪存器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤，步骤S1，提供一衬底，所述衬底顶部设置有被浅沟槽隔离结构分隔的P型阱区； 步骤S2，于所述衬底上对应所述P型阱区的位置形成选择栅结构，并于所述选择栅结构上方形成第一控制栅结构；步骤S2包括以下步骤： 步骤S21，于所述衬底上表面形成一选择栅介质层； 步骤S22，于所述选择栅介质层上表面形成一选择栅多晶硅层； 步骤S23，于所述选择栅多晶硅层上表面依次形成一第一氧化层，一第一氮化层，一刻蚀停止层以及一第二氮化层； 步骤S24，刻蚀所述第二氮化层及所述刻蚀停止层，以形成对应所述第一控制栅结构位置，且暴露所述第一氮化层的凹槽； 步骤S25，于所述第二氮化层表面，所述凹槽槽壁及槽底形成一第二氧化层，并向所述凹槽中填充形成一第一控制栅多晶硅层； 步骤S26，刻蚀所述第一控制栅多晶硅层，去除所述第二氮化层表面的所述第一控制栅多晶硅层，并使所述凹槽内的所述第一控制栅多晶硅层高度低于所述凹槽的槽口，且形成分别附着于所述凹槽两侧内壁的内侧墙结构； 步骤S27，于所述凹槽开口处填充一隔离介质层，并以研磨所述隔离介质层，以去除所述第二氮化层上表面的所述第二氧化层； 步骤S28，刻蚀去除所述衬底上表面的所述第二氮化层，所述刻蚀停止层，所述第一氮化层，所述第一氧化层，选择栅多晶硅层，所述选择栅介质层，保留所述凹槽的槽壁及槽底的所述第二氧化层，以及保留所述凹槽的槽底的第二氧化层与所述衬底上表面之间的所述选择栅介质层，所述选择栅多晶硅层，所述第一氧化层，所述第一氮化层； 步骤S3，所述选择栅结构及所述第一控制栅结构两侧分别形成对称的“L”型凹陷向外的浮栅结构； 步骤S4，分别于所述浮栅结构的凹陷位置形成第二控制栅结构； 步骤S5，分别于所述第二控制栅结构及所述浮栅结构底部，背向所述第一控制栅结构的一侧形成侧墙结构。

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