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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利一种浮栅型分栅闪存工艺方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114171530B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111344785.0，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权一种浮栅型分栅闪存工艺方法是由许昭昭;陈华伦;钱文生设计研发完成，并于2021-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种浮栅型分栅闪存工艺方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种浮栅型分栅闪存工艺方法，其工艺方法步骤如下：定义浮栅闪存和外围逻辑区的有源区；去除氮化硅层，依次形成氧化硅层、氮化硅层、牺牲氧化硅层、氮化硅层；沉积形成多晶硅层并进行各项异性刻蚀形成第一侧墙控制栅；沉积并刻蚀形成第二侧墙介质层；刻蚀去除开口内的浮栅多晶硅层；进行热氧化在选择栅极多晶硅层顶端形成保护刻蚀；注入形成轻掺杂漏Halo离子注入层；进行源漏重掺杂注入形成源漏重掺杂离子注入层。本发明增加了该闪存器件与先进工艺的兼容性；在后续工艺中可同时与选择栅在多晶硅顶部形成金属硅化物，降低了控制栅的导通电阻，提高闪存的集成度。

本发明授权一种浮栅型分栅闪存工艺方法在权利要求书中公布了：1.一种浮栅型分栅闪存工艺方法，其用于形成包括中‑高压的P型阱，浮栅介质层氧化硅，浮栅多晶硅层，多晶硅间ONOOxide‑Nitride‑Oxide介质叠层氧化硅层、第一氮化硅层、顶层氧化硅层，第一侧墙控制栅多晶硅层，第二侧墙介质层，选择栅介质层氧化硅，选择栅多晶硅层，第三侧墙介质层，轻掺杂漏和Halo离子注入层，源漏重掺杂离子注入层，金属硅化物的浮栅型分栅闪存器件，其特征在于：其工艺方法步骤如下： S1:利用STI工艺在衬底上定义浮栅闪存和外围逻辑区的有源区，其中在定义有源区之前已在P型衬底上形成所述浮栅介质层氧化硅、所述浮栅多晶硅层和第二氮化硅层； S2:去除所述第二氮化硅层，依次在所述浮栅多晶硅层上形成氧化硅层、第一氮化硅层、牺牲氧化硅层、第三氮化硅层，通过光刻定义闪存单元区域形成开口，以所述牺牲氧化硅层为刻蚀停止层刻蚀去除所述开口的第三氮化硅层，然后再刻蚀去除所述开口内的牺牲氧化硅层，从而在所述第一氮化硅层上暴露出用于形成后续结构的部分； S3:形成所述多晶硅间ONO介质叠层中的顶层氧化硅层，然后沉积形成多晶硅层并进行各项异性刻蚀，以在所述开口内、所述第一氮化硅层和所述顶层氧化硅层的侧壁上形成第一侧墙控制栅多晶硅层； S4:刻蚀去除所述开口内底部的所述顶层氧化硅层、第一氮化硅层和氧化硅层，然后沉积并各向异性刻蚀形成与所述第一侧墙控制栅多晶硅层相邻的所述第二侧墙介质层； S5:刻蚀去除所述开口内的、位于所述第二侧墙介质层之间的浮栅多晶硅层，同时也刻蚀掉部分所述第一侧墙控制栅多晶硅层； S6:依次沉积所述选择栅介质层氧化硅和所述选择栅多晶硅层，以所述第三氮化硅层为停止层进行化学机械研磨，进行NP型杂质离子注入以同时对所述选择栅多晶硅层和所述第一侧墙控制栅多晶硅层进行掺杂，随后进行热氧化，在所述选择栅多晶硅层和所述第一侧墙控制栅多晶硅层的顶端同时形成刻蚀保护氧化层； S7:去除所述第三氮化硅层，并以所述第二侧墙介质层、顶层氧化硅层、选择栅介质层氧化硅、刻蚀保护氧化层为掩膜自对准依次刻蚀所述多晶硅间ONO介质叠层和所述浮栅多晶硅层的部分，随后进行LDDHalo离子注入形成所述轻掺杂漏和Halo离子注入层； S8:沉积并各向异性刻蚀形成所述第三侧墙介质层，随后进行源漏重掺杂注入形成所述源漏重掺杂离子注入层，最后进行金属硅化工艺，同时在硅表面、所述第一侧墙控制栅多晶硅层表面、所述选择栅多晶硅层表面形成低电阻率的所述金属硅化物。

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