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龙图腾网获悉复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司申请的专利静态随机存取存储器的存储单元结构及存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114188326B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111525708.5，技术领域涉及：H10B10/00；该发明授权静态随机存取存储器的存储单元结构及存储器是由丁荣正;俞少峰;朱小娜;朱宝;尹睿设计研发完成，并于2021-12-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本静态随机存取存储器的存储单元结构及存储器在说明书摘要公布了：本发明提供了一种静态随机存取存储器的存储单元结构，包括相互连接的晶体管单元和连接单元，晶体管单元包括沿第一方向设置的第一传输管、第一共栅互补场效应晶体管、第二共栅互补场效应晶体管和第二传输管，在制造时能够使用连续的鳍式结构，无需切断鳍式结构工艺，降低了工艺风险及成本，连接单元包括字线、第一位线、第二位线、第一互连线、第二互连线、第一电源线和第二电源线，第一位线和第二位线垂直于第一方向，字线、第一互连线、第二互连线、第一电源线、第二电源线平行于第一方向，结合场效应晶体管，极大的降低了所占用的面积，提高了集成度，进一步降低了成本。本发明还提供了一种存储器。

本发明授权静态随机存取存储器的存储单元结构及存储器在权利要求书中公布了：1.一种静态随机存取存储器的存储单元结构，其特征在于，包括相互连接的晶体管单元和连接单元，其中，所述晶体管单元包括沿第一方向依次设置的第一传输管、第一共栅互补场效应晶体管、第二共栅互补场效应晶体管和第二传输管，所述第一传输管的沟道方向、第一共栅互补场效应晶体管沟道方向、第二共栅互补场效应晶体管的沟道方向和第二传输管的沟道方向均平行于所述第一方向； 所述连接单元包括字线、第一位线、第二位线、第一互连线、第二互连线、第一电源线和第二电源线，所述字线用于控制所述第一传输管和所述第二传输管，所述第一位线和所述第二位线用于实现信号传输，所述第一互连线和所述第二互连线用于实现所述晶体管单元的内部连接，所述第一电源线和所述第二电源线用于为所述晶体管单元供电或接地，所述第一位线和所述第二位线垂直于所述第一方向，所述字线、所述第一互连线、所述第二互连线、所述第一电源线、所述第二电源线平行于所述第一方向； 所述第一位线与所述第一传输管的第一端连接，所述第二位线与所述第二传输管的第一端连接，所述字线通过金属通孔与所述第一传输管的栅极和所述第二传输管的栅极连接，所述第一互连线通过金属通孔与第一传输管的第二端、所述第一共栅互补场效应晶体管的两个漏极和所述第二共栅互补场效应晶体管的栅极连接，所述第二互连线通过金属通孔与所述第二传输管的第二端、所述第二共栅互补场效应晶体管的两个漏极和所述第一共栅互补场效应晶体管的栅极连接，所述第二电源线通过金属通孔与所述第一共栅互补场效应晶体管的源极和所述第二共栅互补场效应晶体管的源极连接，所述第一电源线通过金属通孔与所述第一共栅互补场效应晶体管的源极和所述第二共栅互补场效应晶体管的源极连接。

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