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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利3D SONOS存储器结构及工艺方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114188340B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111344835.5，技术领域涉及：H10B43/30；该发明授权3D SONOS存储器结构及工艺方法是由王宁;张可钢设计研发完成，并于2021-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本3D SONOS存储器结构及工艺方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种所述的3DSONOS存储器的存储单元中包含选择管和存储管，其中每两个存储单元的选择管共用一个源区，所述的存储单元中的选择管的选择管栅极为沟槽型，深入到半导体衬底中，沟槽型的选择管栅极，其沟槽的深度决定选择管沟道的长度；所述选择管栅极同时还高于半导体衬底表面；存储管栅极位于选择管高于半导体衬底的选择管栅极两侧，作为两个相邻的存储单元的存储管栅极；所述的沟槽型的选择栅的沟槽底部为选择管的源区，作为两个相邻的存储单元的选择管共用的源区；在所述存储管栅极两外侧的衬底中，分别具有所述两个相邻的存储单元的各自存储管的漏区。本发明还公开了所述3DSONOS存储器的工艺方法。

本发明授权3D SONOS存储器结构及工艺方法在权利要求书中公布了：1.一种3D SONOS存储器的工艺方法，其特征在于：包含如下的工艺步骤： 第一步，提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上首先形成一层衬垫氧化层，然后在所述衬垫氧化层表面再形成一层硬掩模层； 第二步，光刻及刻蚀所述硬掩模层，打开硬掩模层并向下刻蚀，形成沟槽，所述沟槽深入到半导体衬底中； 第三步，在所述半导体衬底中的沟槽内部再形成一层第一氧化层； 第四步，在所述半导体衬底表面整体形成一层牺牲介质层，所述牺牲介质层同时覆盖所述沟槽的内部； 第五步，对牺牲介质层进行刻蚀，去除半导体衬底表面的牺牲介质层，以及所述沟槽底部的牺牲介质层和氧化层；然后进行离子注入，在所述沟槽底部形成第一注入区； 第六步，去除牺牲介质层； 第七步，生长第一多晶硅层，并进行研磨工艺； 第八步，在沟槽中多晶硅顶部生长第二氧化层； 第九步，去除硬掩模层； 第十步，生长隔离氧化层； 第十一步，刻蚀去除隔离氧化层及衬垫氧化层； 第十二步，在所述半导体衬底表面整体形成一层ONO层； 第十三步，在所述半导体衬底表面整体形成一层第二多晶硅层； 第十四步，对形成的第二多晶硅层进行刻蚀，然后进行第二注入区注入；对ONO层进行刻蚀。

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