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龙图腾网获悉株式会社电装;未来瞻科技株式会社;丰田自动车株式会社申请的专利半导体器件及制造半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114203548B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111085314.2，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权半导体器件及制造半导体器件的方法是由三宅裕树设计研发完成，并于2021-09-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及制造半导体器件的方法在说明书摘要公布了：一种半导体器件，具有第一半导体层21和第二半导体层22。第一半导体层21是由氧化镓基半导体制成的n型层。第二半导体层22由氧化镓基半导体制成，与第一半导体层21接触，并且是电活性施主浓度高于第一半导体层21的电活性施主浓度的n型层。第一半导体层21的施主浓度与第二半导体层22的施主浓度之间的差小于第一半导体层21的电活性施主浓度与第二半导体层22的电活性施主浓度之间的差。

本发明授权半导体器件及制造半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 第一半导体层21，其具有N导电类型并且由氧化镓基半导体制成；和第二半导体层22，其由氧化镓基半导体制成，与所述第一半导体层21接触，并且具有电活性施主浓度高于所述第一半导体层21的电活性施主浓度的N导电类型，其中： 所述第一半导体层21的施主浓度与所述第二半导体层22的施主浓度之间的差小于所述第一半导体层21的电活性施主浓度与所述第二半导体层22的电活性施主浓度之间的差，其中： 所述第一半导体层21包括： 过渡层24，其与所述第二半导体层22接触；和漂移层26，其与所述过渡层24接触并通过所述过渡层24与所述第二半导体层22隔开； 所述第二半导体层22的电活性施主浓度为1×1018cm3或更高； 所述过渡层24中的电活性施主浓度小于1×1018cm3； 所述漂移层26的电活性施主浓度小于所述过渡层24的电活性施主浓度； 所述过渡层24中的电活性施主浓度被分布为从所述第二半导体层22朝向所述漂移层26降低； 在所述第二半导体层22、所述过渡层24和所述漂移层26的堆叠方向上，所述过渡层24中的电活性施主浓度的变化率为每1μm 1×1015cm3或更大； 在所述堆叠方向上，所述漂移层26中的电活性施主浓度的变化率小于每1μm 1×1015cm3；和所述过渡层24的厚度为0.1μm或更大。

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