南亚科技股份有限公司黄则尧获国家专利权
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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利具有倾斜隔离层的半导体元件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114256144B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110795112.0，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权具有倾斜隔离层的半导体元件及其制备方法是由黄则尧设计研发完成，并于2021-07-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有倾斜隔离层的半导体元件及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种具有多个倾斜隔离层的半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基底、二导电栓柱、一第一组倾斜隔离层以及一第二组倾斜隔离层；该二导电栓柱位在该基底上，并沿一垂直轴延伸；该第一组倾斜隔离层相互平行，且位在该二导电栓柱之间；该第二组倾斜隔离层相互平行，且位在该二导电栓柱之间。该第一组倾斜隔离层沿一第一方向延伸，该第一方向相对于该垂直轴倾斜；该第二组倾斜隔离层沿一第二方向延伸，该第二方向相对于该垂直轴倾斜；以及该第一方向与该第二方向交叉。
本发明授权具有倾斜隔离层的半导体元件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件，包括： 一基底； 二导电栓柱，位在该基底上，并沿一垂直轴延伸； 一第一组倾斜隔离层，相互平行，并位在该二导电栓柱之间；以及一第二组倾斜隔离层，相互平行，并位在该二导电栓柱之间； 其中，该第一组倾斜隔离层沿一第一方向延伸，该第一方向相对于该垂直轴倾斜；该第二组倾斜隔离层沿一第二方向延伸，该第二方向相对于该垂直轴倾斜；以及该第一方向与该第二方向交叉。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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