长江存储科技有限责任公司贾建权获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利存储器件、系统以及存储器件的操作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114333935B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111672655.X，技术领域涉及：G11C8/08；该发明授权存储器件、系统以及存储器件的操作方法是由贾建权;蒋颂敏;罗哲;闵园园;崔莹;李姗;张安;李达;刘红涛;靳磊设计研发完成，并于2021-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器件、系统以及存储器件的操作方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种存储器件、系统以及存储器件的操作方法，属于存储技术领域，本方法在擦除存储块的过程中，存储串的第一端施加第一电压，向存储串的第一存储单元所耦合的字线施加小于第一电压的第二电压，由于第一电压与第二电压之间的压差大于或等于第一存储单元的隧穿电压，则能够擦除其存储的无效数据，另外，还向存储串的第二存储单元所耦合字线配置小于第一电压的第三电压，由于第一电压与第三电压之间的压差小于第二存储单元的隧穿电压，以保护其存储的有效数据不被擦除，进而无须迁移有效数据，节约了来回迁移有效数据的时间，提高了存储块的擦除效率。
本发明授权存储器件、系统以及存储器件的操作方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器件，其特征在于，所述存储器件包括存储阵列以及外围电路； 所述存储阵列包括存储串以及多个字线，所述存储串包括至少一个第一存储单元以及至少一个第二存储单元，所述第一存储单元为存储串中存储有无效数据的存储单元，所述第二存储单元为所述存储串中存储有有效数据的存储单元； 所述多个字线分别耦合到所述存储串的多个存储单元； 所述外围电路耦合到所述存储阵列，且被配置为： 向所述存储串的第一端施加第一电压，所述第一端为耦合到所述存储串对应的位线触点的一端或耦合到所述存储串对应的源极接触部的一端； 向所述第一存储单元所耦合的字线施加第二电压，所述第二电压小于所述第一电压，且所述第一电压与所述第二电压之间的压差大于或等于第一隧穿电压； 为所述第二存储单元所耦合的字线配置第三电压，所述第三电压小于所述第一电压，且所述第一电压与所述第三电压之间的压差小于第二隧穿电压。
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