华虹半导体(无锡)有限公司党扬获国家专利权
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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利Nord闪存器件的制作工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114334989B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210104685.9，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权Nord闪存器件的制作工艺是由党扬;张剑;王辉;熊伟;陈华伦设计研发完成，并于2022-01-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本Nord闪存器件的制作工艺在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种Nord闪存器件的制作工艺。该工艺包括步骤：在衬底上制作由下至上依次层叠的多晶硅浮栅层、多晶硅间介质层和多晶硅控制栅层；刻蚀多晶硅控制栅层，使得多晶硅控制栅层中开设形成第一窗口；依照带有第一窗口的多晶硅控制栅层的表面形貌，沉积浮栅氮化硅层；刻蚀浮栅氮化硅层，使得浮栅氮化硅层中开设形成第二窗口；依照带有第二窗口的浮栅氮化硅层的表面形貌，沉积氧化物层；刻蚀氧化物层；通过酸洗液去除位于第一窗口位置处的多晶硅间介质层，以及位于第一窗口侧壁位置处的氧化物和氮化硅，使得多晶硅控制栅层的侧表面和第一窗口位置处的多晶硅浮栅层上表面外露；制作Nord闪存器件的字线结构。
本发明授权Nord闪存器件的制作工艺在权利要求书中公布了：1.一种Nord闪存器件的制作工艺，其特征在于，所述Nord闪存器件的制作工艺包括以下步骤： 第一步：在衬底上制作由下至上依次层叠的多晶硅浮栅层、多晶硅间介质层和多晶硅控制栅层； 第二步：刻蚀所述多晶硅控制栅层，使得所述多晶硅控制栅层中开设形成第一窗口； 第三步：依照带有所述第一窗口的多晶硅控制栅层的表面形貌，沉积浮栅氮化硅层； 第四步：刻蚀所述浮栅氮化硅层，使得所述浮栅氮化硅层中开设形成第二窗口； 第五步：依照带有所述第二窗口的浮栅氮化硅层的表面形貌，沉积氧化物层； 第六步：刻蚀所述氧化物层； 第七步：通过酸洗液去除位于所述第一窗口位置处的多晶硅间介质层，以及位于所述第一窗口侧壁位置处的氧化物和氮化硅，使得所述多晶硅控制栅层的侧表面和所述第一窗口位置处的多晶硅浮栅层上表面外露； 第八步：制作所述Nord闪存器件的字线结构。
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