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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种低功耗射频功率器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114361016B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111407822.8，技术领域涉及：H01L21/28；该发明授权一种低功耗射频功率器件及其制作方法是由马晓华;祝杰杰;刘思雨;郭静姝;宓珉瀚设计研发完成，并于2021-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低功耗射频功率器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低功耗射频功率器件及其制作方法，方法包括：获取外延基片；外延基片自下而上依次包括衬底层、成核层、缓冲层、插入层、强极化氮化物势垒层和帽层；在外延基片上形成有源区的电隔离；在帽层上光刻出源、漏电极区域，分别在源、漏电极区域生长欧姆金属形成源、漏电极；在源、漏电极和帽层上生长钝化层；在钝化层上光刻出凹槽区域，刻蚀掉凹槽区域内的钝化层直至强极化氮化物势垒层形成凹槽；利用热氧化工艺在凹槽内原位氧化形成栅介质层；在钝化层上和凹槽上方光刻出栅电极区域，在栅电极区域内的钝化层上和凹槽内的栅介质层上生长栅金属形成T型栅电极；分别在源、漏和T型栅电极上生长互联电极。本发明可以提升器件的功率特性。

本发明授权一种低功耗射频功率器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种低功耗射频功率器件的制作方法，其特征在于，包括： 获取外延基片；其中，所述外延基片自下而上依次包括衬底层、成核层、缓冲层、插入层、强极化氮化物势垒层和帽层；所述强极化氮化物势垒层的厚度为3nm~12nm，所述强极化氮化物势垒层包括InAlN或ScAlN或AlN； 在所述外延基片上形成有源区的电隔离； 在所述帽层上光刻出源电极区域和漏电极区域，分别在所述源电极区域和所述漏电极区域生长欧姆金属形成源电极和漏电极； 在所述源电极、所述漏电极和所述帽层上生长钝化层； 在所述钝化层上光刻出凹槽区域，刻蚀掉所述凹槽区域内的钝化层直至所述强极化氮化物势垒层形成凹槽； 利用热氧化工艺在所述凹槽内原位氧化形成栅介质层； 在所述钝化层上和所述凹槽上方光刻出栅电极区域，在所述栅电极区域内的所述钝化层上和所述凹槽内的栅介质层上生长栅金属形成T型栅电极； 刻蚀掉所述源电极和所述漏电极上的钝化层直至所述源电极和所述漏电极，分别在所述源电极、所述漏电极和所述T型栅电极上生长互联电极；其中，所述在所述帽层上光刻出源电极区域和漏电极区域，分别在所述源电极区域和所述漏电极区域生长欧姆金属形成源电极和漏电极，包括： 在所述帽层上生长掩膜层；在所述掩膜层上光刻出源电极区域和漏电极区域；刻蚀掉所述源电极区域和所述漏电极区域内所述掩膜层直至部分所述缓冲层内；在所述缓冲层和所述掩膜层上生长N+GaN外延层；所述N+GaN外延层的厚度为150nm~200nm；利用湿法刻蚀工艺刻蚀掉所述帽层上的所述掩膜层和所述N+GaN外延层；在所述N+GaN外延层上采用电子束蒸发工艺蒸发欧姆金属形成所述源电极和所述漏电极； 所述利用热氧化工艺在所述凹槽内原位氧化形成栅介质层，包括： 利用等离子增强原子层沉积PEALD设备，在RF功率为100W、温度为250°C~300°C下利用远程等离子体氧化工艺在所述凹槽内对所述强极化氮化物势垒层进行原位氧化形成厚度为1nm~10nm的所述栅介质层。

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