上海华力微电子有限公司舒宇飞获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力微电子有限公司申请的专利一种NOR闪存的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114361166B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111681229.2，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权一种NOR闪存的制备方法是由舒宇飞;邹荣;张磊;陈昊瑜设计研发完成，并于2021-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种NOR闪存的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种NOR闪存的制备方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有栅极叠层；在所述衬底上形成堆叠层，所述堆叠层覆盖所述衬底及所述栅极叠层的外壁，所述堆叠层包括依次堆叠于所述衬底上的氧化层、氮化硅层及第一多孔碳层；刻蚀所述堆叠层形成露出所述衬底的第一开口，所述第一开口位于相邻的所述栅极叠层之间；对所述第一开口下方的所述衬底进行第一离子注入工艺，以形成第一漏区；通过热氧工艺去除所述第一多孔碳层；在所述第一漏区上形成自对准金属硅化物层。所述衬底及所述氧化层在热氧工艺中不发生反应，避免在去除所述第一多孔碳层的过程中对所述衬底及所述氧化层造成的侧向刻蚀，进而保证自对准工艺窗口的准确性，减少漏电现象。
本发明授权一种NOR闪存的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种NOR闪存的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底上形成有栅极叠层及逻辑栅； 在所述衬底上形成堆叠层，所述堆叠层覆盖所述衬底、所述栅极叠层的外壁及所述逻辑栅的外壁，所述堆叠层包括依次堆叠于所述衬底上的氧化层、氮化硅层及第一多孔碳层； 刻蚀所述堆叠层形成露出所述衬底的第一开口，所述第一开口位于相邻的所述栅极叠层之间； 对所述第一开口下方的所述衬底进行第一离子注入工艺，以形成第一漏区； 在所述衬底上形成第二多孔碳层，所述第二多孔碳层覆盖所述第一多孔碳层及所述第一漏区；刻蚀除去所述逻辑栅两侧的部分所述第二多孔碳层及所述堆叠层，形成露出所述衬底的第二开口；对所述第二开口下方的所述衬底进行第二离子注入工艺，形成第二漏区； 通过热氧工艺去除所述第一多孔碳层及所述第二多孔碳层，所述热氧工艺的温度为500摄氏度~800摄氏度； 在所述第一漏区和所述第二漏区上形成自对准金属硅化物层。
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