长江存储科技有限责任公司刘松获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利包括隧穿层的沟道结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114388529B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210059549.2，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权包括隧穿层的沟道结构及其形成方法是由刘松;沈超;陈德建;汪文婷;黄欣欣;许芷萍设计研发完成，并于2020-01-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括隧穿层的沟道结构及其形成方法在说明书摘要公布了：公开了存储器件及其制造方法的实施例。在示例中，一种存储器件，包括：衬底；存储堆叠体；以及沟道结构。所述存储堆叠体包括在所述衬底之上的交错的导体层和电介质层。所述沟道结构延伸通过所述存储堆叠体到达所述衬底中，并且包括功能层，所述功能层包括隧穿层，所述隧穿层的氮重量百分比不大于约28％。
本发明授权包括隧穿层的沟道结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器件，包括： 存储堆叠体，包括交错的导体层和电介质层；以及沟道结构，延伸通过所述存储堆叠体，其中，所述沟道结构包括功能层，所述功能层包括隧穿层； 其中，所述隧穿层是对沉积的隧穿层经过热处理获得的；经由所述热处理，所述隧穿层的氮重量百分比相对所述沉积的隧穿层的氮重量百分比降低、并且降低至不大于28％。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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