上海至纯洁净系统科技股份有限公司;至微半导体(上海)有限公司邓信甫获国家专利权
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龙图腾网获悉上海至纯洁净系统科技股份有限公司;至微半导体(上海)有限公司申请的专利用于降低功率器件内应力的外延片制作方法及外延片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114420537B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111647201.7，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权用于降低功率器件内应力的外延片制作方法及外延片是由邓信甫;黄茂烘;唐宝国设计研发完成，并于2021-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于降低功率器件内应力的外延片制作方法及外延片在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体器件制造技术领域，具体涉及一种用于降低功率器件内应力的外延片制作方法及外延片，包括：一种用于降低功率器件内应力的外延片制作方法，包括：形成一衬底，所述衬底为第一材质；于所述衬底的表面蚀刻形成多个第一沟槽；于所述衬底上方形成一缓冲层，所述缓冲层为第二材质；于所述缓冲层的表面蚀刻形成多个第二沟槽；于所述缓冲层表面形成一外延层，以形成一外延片。本发明的有益效果在于：通过设置缓冲层避免了现有技术中衬底和外延层应力释放不充分的问题，并通过设置第一沟槽和第二沟槽进一步地释放了器件的内应力，提高了器件的良品率。
本发明授权用于降低功率器件内应力的外延片制作方法及外延片在权利要求书中公布了：1.一种用于降低功率器件内应力的外延片制作方法，其特征在于，包括： 形成一衬底，所述衬底为第一材质； 于所述衬底的表面蚀刻形成多个第一沟槽； 于所述衬底上方形成一缓冲层，所述缓冲层为第二材质； 于所述缓冲层的表面蚀刻形成多个第二沟槽； 于所述缓冲层表面形成一外延层，以形成一外延片； 所述外延层为第三材质； 所述第一沟槽和所述第二沟槽均采用湿法蚀刻方法形成； 所述湿法蚀刻方法具体包括： 于器件的部分表面涂覆光刻胶，以暴露预设的沟槽形成区域； 对所述器件进行湿法蚀刻以形成沟槽； 去除所述光刻胶，对所述器件进行清洗； 所述湿法蚀刻的过程中采用高温磷酸，配合硫酸混合双氧水的方式进行连续两次蚀刻； 高温磷酸的蚀刻温度在170℃~220℃之间，硫酸混合双氧水的蚀刻温度在100℃~200℃之间。
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