上海至纯洁净系统科技股份有限公司;至微半导体(上海)有限公司廖世保获国家专利权
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龙图腾网获悉上海至纯洁净系统科技股份有限公司;至微半导体(上海)有限公司申请的专利一种基于流场控制的高温蚀刻方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114420552B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111674419.1，技术领域涉及：H01L21/306；该发明授权一种基于流场控制的高温蚀刻方法是由廖世保;陈丁堃;邓信甫设计研发完成，并于2021-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于流场控制的高温蚀刻方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于流场控制的高温蚀刻方法，包括：步骤S1，获取一基板，通过清洗溶液对基板的表面进行清洗；步骤S2，喷淋雾化溶液至基板的表面以形成一热能流场，实时检测热能流场的一实时温度；步骤S3，判断热能流场的实时温度是否大于一预设温度：若否，增大雾化溶液的温度并返回步骤S2；若是，转向步骤S4；步骤S4，喷淋蚀刻溶液至基板的表面进行蚀刻。有益效果是本方法实时检测热能流场的实时温度并通过调整雾化溶液的温度使实时温度大于预设温度，使雾化溶液与蚀刻溶液充分接触，以及在蚀刻过程中检测基板的表面温度并实时进行调整，提高蚀刻溶液的蚀刻效果。
本发明授权一种基于流场控制的高温蚀刻方法在权利要求书中公布了：1.一种基于流场控制的高温蚀刻方法，其特征在于，具体包括以下步骤: 步骤S1，获取一基板，通过清洗溶液对所述基板的表面进行清洗； 步骤S2，喷淋雾化溶液至所述基板的表面以形成一热能流场，实时检测所述热能流场的一实时温度； 步骤S3，判断所述热能流场的所述实时温度是否大于一预设温度： 若否，增大所述雾化溶液的温度并返回所述步骤S2； 若是，转向步骤S4； 步骤S4，喷淋蚀刻溶液至所述基板的表面进行蚀刻； 通过对所述热能流场进行实时温度控制，维持所述基板表面全面性范围的高温气流包覆。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海至纯洁净系统科技股份有限公司;至微半导体(上海)有限公司，其通讯地址为：200241 上海市闵行区紫海路170号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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