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龙图腾网获悉西安电子科技大学广州研究院申请的专利基于GaN基增强型器件的单片集成反相器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114420742B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111300410.4，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权基于GaN基增强型器件的单片集成反相器及其制备方法是由张苇杭;樊昱彤;张进成;刘茜;付李煜;黄韧;许国富;文钰;郝跃;张晓东设计研发完成，并于2021-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于GaN基增强型器件的单片集成反相器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于GaN基增强型器件的单片集成反相器及其制备方法，其中，反相器自下而上依次包括衬底、缓冲层、UID‑GaN层、AlGaN势垒层、UID‑InGaN层以及p‑InGaN层，器件中间设有一深至UID‑GaN层的隔离槽以将器件分为左右两部分；其中，器件左侧的p‑InGaN层上设有第一源电极和第一漏电极，第一源电极和第一漏电极之间设有深至p‑InGaN层的第一栅电极，以形成p沟道增强型异质结构场效应晶体管；器件右侧的AlGaN势垒层上设有第二源电极和第二漏电极，p‑InGaN层上设有第二栅电极，以形成n沟道增强型异质结构场效应晶体管。本发明提供的器件提高了p沟道GaN增强型器件的饱和电流密度，降低了导通电阻；同时抑制了n沟道GaN增强型器件的栅漏电，提高了栅压摆幅。

本发明授权基于GaN基增强型器件的单片集成反相器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于GaN基增强型器件的单片集成反相器，其特征在于，自下而上依次包括衬底1、缓冲层2、UID‑GaN层3、AlGaN势垒层4、UID‑InGaN层5、p‑InGaN层6以及p+‑InGaN层7，且所述UID‑InGaN层5、所述p‑InGaN层6以及所述p+‑InGaN层7的In组分均为5%~10%；器件中间设有一深至UID‑GaN层的隔离槽18以将器件分为左右两部分；其中，器件左侧的所述p+‑InGaN层7上设有第一源电极9和第一漏电极10，所述第一源电极9和所述第一漏电极10之间设有深至所述p‑InGaN层6的第一栅电极13，以形成p沟道增强型异质结构场效应晶体管； 器件右侧的所述AlGaN势垒层4上设有第二源电极11和第二漏电极12，所述p+‑InGaN层7上设有n‑GaN层8，所述n‑GaN层8上设有第二栅电极14，以形成n沟道增强型异质结构场效应晶体管；其中，所述第二栅电极14与所述n‑GaN层8形成肖特基接触； 所述第一漏电极10和所述第二漏电极12通过第一金属互联条16连接，所述第一栅电极13和所述第二栅电极14通过第二金属互联条17连接。

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