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龙图腾网获悉西安电子科技大学广州研究院申请的专利基于p-InGaN/GaN超晶格结构的增强型GaN器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114420748B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111301947.2，技术领域涉及：H10D62/824；该发明授权基于p-InGaN/GaN超晶格结构的增强型GaN器件及其制备方法是由张苇杭;樊昱彤;张进成;刘茜;付李煜;黄韧;许国富;文钰;郝跃;张晓东设计研发完成，并于2021-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于p-InGaN/GaN超晶格结构的增强型GaN器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于p‑InGaNGaN超晶格结构的增强型GaN器件及其制备方法，该器件自下而上依次包括：衬底、缓冲层、第一UID‑GaN层、势垒层，势垒层的左右两侧上表面设有源电极和漏电极；其中，源电极和漏电极中间的势垒层上依次向上设有第二UID‑GaN层、p‑InGaNGaN超晶格层以及栅电极；第一UID‑GaN层的部分上表面、势垒层以及p‑InGaNGaN超晶格层上均设有钝化层；源电极、漏电极以及栅电极上均设有互连金属。本发明提供的器件结构降低了杂质散射对载流子迁移率的影响，提高了空穴迁移率，增加了空穴浓度，提高了器件阈值电压，进而提升了器件可靠性，为实现高性能GaN基电力电子器件和集成电路夯实了基础。

本发明授权基于p-InGaN/GaN超晶格结构的增强型GaN器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于p‑InGaNGaN超晶格结构的增强型GaN器件，其特征在于，自下而上依次包括：衬底1、缓冲层2、第一UID‑GaN层3、势垒层4，所述势垒层4的左右两侧上表面设有源电极7和漏电极8；其中，所述源电极7和所述漏电极8中间的势垒层4上依次向上设有第二UID‑GaN层5、p‑InGaNGaN超晶格层6以及栅电极9；其中，所述p‑InGaNGaN超晶格层6包括若干上下交替排列的p‑InGaN层和p‑GaN层；每个所述p‑InGaN层的In组分为5%~10%； 所述第一UID‑GaN层3的部分上表面、所述势垒层4以及所述p‑InGaNGaN超晶格层6上均设有钝化层10； 所述源电极7、漏电极8以及栅电极9上均设有互连金属11； 所述p‑InGaNGaN超晶格层6和所述栅电极9之间还包括n‑GaN层12。

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