致真存储(北京)科技有限公司卢世阳获国家专利权
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龙图腾网获悉致真存储(北京)科技有限公司申请的专利一种FinFET高密度新型存储器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114420835B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111460073.5，技术领域涉及：H10N52/00；该发明授权一种FinFET高密度新型存储器及其制备方法是由卢世阳;商显涛;刘宏喜;曹凯华;王戈飞设计研发完成，并于2021-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种FinFET高密度新型存储器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种FinFET高密度新型存储器及其制备方法，所述存储器由衬底层上的多个存储单元组成，其中每一个存储单元包括：电流写入层和两个结构相同的磁性隧道结；所述磁性隧道结分别包括按顺序排列的自由层、势垒层、人工反铁磁耦合层、覆盖层，且所述两个磁性隧道结分别位于电流写入层的两侧形成对称结构；所述人工反铁磁耦合层包括固定层、反铁磁耦合层、钉扎层。通过本发明制备的存储器，利用两个对称的磁性隧道结自旋霍尔角相反实现差分存储，在一条电流写入层上可以形成多个结存储单元，提高了存储密度；存储单元为差分结构，减少源线、字线、位线的使用，提高集成度；本发明的制备方法只需要一次沉积刻蚀工艺，方法简单易行。
本发明授权一种FinFET高密度新型存储器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种FinFET高密度新型存储器，其特征在于，所述存储器由衬底层上的多个存储单元组成，其中每一个存储单元包括：电流写入层和两个结构相同的磁性隧道结； 所述磁性隧道结分别包括按顺序排列的自由层、势垒层、人工反铁磁耦合层、覆盖层，且所述两个磁性隧道结分别位于电流写入层的两侧形成对称结构； 所述电流写入层两侧所述磁性隧道结中的各膜层沿平行于所述衬底层的方向对称排列； 所述人工反铁磁耦合层包括固定层、反铁磁耦合层、钉扎层。
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