芯盟科技有限公司华文宇获国家专利权
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龙图腾网获悉芯盟科技有限公司申请的专利动态随机存取存储结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114429958B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210109331.3，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权动态随机存取存储结构及其形成方法是由华文宇;张帜设计研发完成，并于2022-01-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本动态随机存取存储结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种动态随机存取存储器及其形成方法，其中，方法包括：提供衬底，所述衬底具有相对的第一面和第二面，所述衬底包括相互分立的若干有源区，所述有源区在第一方向上延伸，所述有源区包括若干相互独立且沿第一方向排列的沟道区；在每个有源区内形成若干字线栅结构，每个字线栅结构与1个沟道区邻接，所述若干字线栅结构沿第二方向贯穿所述有源区，所述第二方向垂直于所述第一方向；形成若干字线栅结构之后，在所述第一面形成第一器件层；在所述第一器件层上形成第一介电层；在所述第一介电层内形成若干应力调节结构；形成所述若干应力调节结构后，在所述第二面形成第二器件层。从而，减少了动态随机存取存储器的翘曲，提高了存储器可靠性。
本发明授权动态随机存取存储结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种动态随机存取存储器，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底具有相对的第一面和第二面，所述衬底包括相互分立的若干有源区，所述有源区在第一方向上延伸，所述有源区包括若干相互独立且沿第一方向排列的沟道区； 位于每个有源区中的若干字线栅结构，每个字线栅结构与1个沟道区邻接，所述若干字线栅结构沿第二方向贯穿所述有源区，所述第二方向垂直于所述第一方向； 位于第一面的第一器件层，所述第一器件层包括：若干位线，每个位线与1个有源区内的若干沟道区电连接； 位于所述第一器件层上的第一介电层； 位于所述第一介电层内的若干应力调节结构； 位于第二面的第二器件层，所述第二器件层包括：若干电容，每个所述电容与1个所述沟道区电连接。
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