新唐科技股份有限公司陈柏安获国家专利权
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龙图腾网获悉新唐科技股份有限公司申请的专利半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114447116B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110642529.3，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权半导体结构是由陈柏安设计研发完成，并于2021-06-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构在说明书摘要公布了：本发明是关于半导体结构，其包含：基板、磊晶层、埋置层、源极区及汲极区、漂移区、闸极结构、第一隔离结构以及高压井区；基板具有第一导电型态；磊晶层具有不同于第一导电型态的第二导电型态且设置于基板上。埋置层具有第二导电型态且设置于基板；源极区及汲极区分别具有第一导电型态且分别设置于磊晶层中；漂移区具有第一导电型态且设置于磊晶层中，位于源极区及汲极区之间，且与汲极区电性连接。闸极结构设置于源极区及漂移区上。第一隔离结构设置于漂移区与汲极区之间；高压井区具有第一导电型态，设置于磊晶层中，且与埋置层及第一隔离结构接触。本发明能避免半导体结构中的基板漏电流的产生，从而获得具有更优良的电性特征。
本发明授权半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，该半导体结构包含： 一基板，具有一第一导电型态； 一磊晶层，具有不同于该第一导电型态的一第二导电型态且设置于该基板上； 一埋置层，具有该第二导电型态且设置于该基板中； 一源极区及一汲极区，分别具有该第一导电型态且分别设置于该磊晶层中； 一漂移区，具有该第一导电型态且设置于该磊晶层中，并位于该源极区及该汲极区之间，且该漂移区与该汲极区电性连接； 一闸极结构，设置于该源极区及该漂移区上； 一第一隔离结构，设置于该漂移区与该汲极区之间；以及一高压井区，具有该第一导电型态，设置于该磊晶层中，且与该埋置层及该第一隔离结构接触； 其中，该第一导电型态为P型，该第二导电型态为N型，该磊晶层包含一第一磊晶区及一第二磊晶区，该漂移区及该高压井区之间以该第一磊晶区彼此分隔，该高压井区与该汲极区之间以该第二磊晶区彼此分隔，且该漂移区、该第一磊晶区、该高压井区、该第二磊晶区及该基板为PNPNP结构。
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