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龙图腾网获悉浙江大学杭州国际科创中心申请的专利碳化硅基底的膜厚质量评估方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114493139B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111627483.4，技术领域涉及：G06Q10/0639；该发明授权碳化硅基底的膜厚质量评估方法是由钟浩;盛况;任娜;王珩宇设计研发完成，并于2021-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本碳化硅基底的膜厚质量评估方法在说明书摘要公布了：碳化硅基底的膜厚质量评估方法，属于半导体技术领域，包括以下步骤：S1∶选择碳化硅基底，在所述碳化硅基底上进行膜层生长；S2∶选择若干个测量角和波长范围，使用光谱椭偏仪测量相位变化和振幅衰减，根据评价函数MSE公式，得出MSE最小值；S3∶选定测量的若干位置，根据所述MSE最小值对应的测量角和波长范围，得出若干位置的膜厚di和评价函数MSEi；S4∶基于所述评价函数MSEi，得到权重系数Wi；S5∶根据公式计算并得到膜厚均值和膜厚均匀性。本发明通过评价函数和权重系数，计算得到膜厚均值和膜厚均匀性，精确、客观地反映了碳化硅基底上膜厚质量。

本发明授权碳化硅基底的膜厚质量评估方法在权利要求书中公布了：1.碳化硅基底的膜厚质量评估方法，其特征在于，包括以下步骤： S1∶选择碳化硅基底，在所述碳化硅基底上进行膜层生长；S2∶选择若干个测量角和波长范围，使用光谱椭偏仪测量相位变化和振幅衰减，根据评价函数MSE公式，得出MSE最小值； S3∶选定测量的若干位置，根据所述MSE最小值对应的测量角和波长范围，得出若干位置的膜厚di和评价函数MSEi； S4∶基于所述评价函数MSEi，得到权重系数Wi； S5∶根据公式计算并得到膜厚均值和膜厚均匀性； 所述评价函数MSE公式如下： 所述评价函数MSE公式如下： ； 其中，；；；n为测量波长的数量；m为拟合参数的数量；E为测量点的数据；G为对应拟合点的数据；为振幅衰减，为相位变化； 所述权重系数Wi的公式如下： ； 其中，为MSE最小值，为评价函数MSEi； 所述膜厚均匀性通过如下公式得到： ； 其中，为膜厚均匀性，为膜厚极值，为膜厚均值； 所述膜厚极值通过如下公式得到： ； 其中，为膜厚与权重系数乘积中的最大值，为膜厚与权重系数乘积中的最小值； 膜厚均值通过如下公式得到： ； 其中，Wi为权重系数，为膜厚，为个数。

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