光电子学解决方案公司朴文秀获国家专利权
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龙图腾网获悉光电子学解决方案公司申请的专利TO-罐型半导体封装件的阻抗信号线的结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114583547B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111446967.9，技术领域涉及：H01S5/02345；该发明授权TO-罐型半导体封装件的阻抗信号线的结构是由朴文秀;高永信设计研发完成，并于2021-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本TO-罐型半导体封装件的阻抗信号线的结构在说明书摘要公布了：公开了一种根据实施例的TO‑罐型半导体封装件的阻抗信号线的结构。晶体管轮廓TO‑罐型半导体封装件包括：头部，其包括设置在头部一侧的半导体激光二极管；信号线，其贯穿头部并且包括从头部一侧凸出的一端；以及边缘耦合微带ECM部分，其连接到信号线，ECM部分包括电介质和ECM线，ECM线被形成为在电介质的第一侧上具有预定宽度并在其间留有预定间距的导电图形，并被分别连接到信号线。
本发明授权TO-罐型半导体封装件的阻抗信号线的结构在权利要求书中公布了：1.一种晶体管轮廓TO‑罐型半导体封装件，包括： 头部，所述头部包括被设置在头部一侧上的半导体激光二极管； 信号线，所述信号线贯穿所述头部并包括从所述头部一侧凸出的一端；以及边缘耦合微带ECM部分，ECM部分被连接到所述信号线，所述ECM部分包括： 电介质；和ECM线，所述ECM线被形成为在所述电介质的第一侧上具有预定宽度并在其间留有预定间距的导电图形，并且被分别连接到所述信号线，其中： 所述电介质具有200μm的预定厚度，所述ECM线以预定距离10μm彼此间隔开；并且所述ECM线的长度短于或等于所述信号线从所述头部的一侧凸出的凸出长度。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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