上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司燕燕获国家专利权
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龙图腾网获悉上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司申请的专利光刻工艺窗口的检测方法及装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114627095B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210301347.4,技术领域涉及:G06T7/00;该发明授权光刻工艺窗口的检测方法及装置是由燕燕;时雪龙;夏铭阳;周涛设计研发完成,并于2022-03-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本光刻工艺窗口的检测方法及装置在说明书摘要公布了:本发明提供了一种光刻工艺窗口的检测方法及装置,所述光刻工艺窗口的检测方法包括:在训练完成后的神经网络模型中输入第一光刻空间特征图、以及依次输入第一光刻条件集中的光刻条件,以生成与所述光刻条件相对应的待测图像,提取所述待测图像中的光刻轮廓以形成轮廓图像,并将得到的全部所述轮廓图像汇总成轮廓图像集;获取所述第一光刻空间特征图对应的OPC图像,并计算所述轮廓图像和所述OPC图像之间的误差,以判断所述轮廓图像集是否满足第一预设条件,当满足所述第一预设条件时,所述OPC图像所对应的工艺窗口的检测结果为合格。通过本发明计算当前光刻工艺窗口的误差,并对当前光刻工艺窗口进行优化以满足实际生产的要求。
本发明授权光刻工艺窗口的检测方法及装置在权利要求书中公布了:1.一种光刻工艺窗口的检测方法,其特征在于,包括: 获取第一光刻空间特征图和第一光刻条件集,所述第一光刻条件集包括至少一个光刻条件;在训练完成后的神经网络模型中输入所述第一光刻空间特征图、以及依次输入所述第一光刻条件集中的光刻条件,以生成所述第一光刻空间特征图与所述光刻条件相对应的待测图像,提取所述待测图像中的光刻轮廓以形成轮廓图像,并将得到的全部所述轮廓图像汇总成轮廓图像集; 获取所述第一光刻空间特征图对应的OPC图像,并计算所述轮廓图像集中的每一张所述轮廓图像和所述OPC图像之间的误差,以判断所述轮廓图像集是否满足第一预设条件,当所述轮廓图像集满足所述第一预设条件时,所述OPC图像所对应的工艺窗口的检测结果为合格; 所述计算所述轮廓图像集中的每一张所述轮廓图像和所述OPC图像之间的误差,以判断所述轮廓图像集是否满足第一预设条件,包括: 计算所述轮廓图像集中的每一张所述轮廓图像的全部像素点和所述OPC图像中相对应的像素点之间的距离差值,并得到所述距离差值均小于第一预设阈值的所述轮廓图像的集合为优选图像集; 判断所述优选图像集是否满足工艺窗口的设定要求,当所述优选图像集满足设定要求时,所述轮廓图像集满足第一预设条件。
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