京东方科技集团股份有限公司杨维获国家专利权
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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司申请的专利显示基板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114628411B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210278593.2，技术领域涉及：H10K59/121；该发明授权显示基板是由杨维;周天民;王利忠;宁策;袁广才设计研发完成，并于2022-03-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本显示基板在说明书摘要公布了：本发明提供一种显示基板，包括第一缓冲层、第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层和第二缓冲层，第一缓冲层上用于设置多晶硅薄膜晶体管中的多晶硅，第一栅极绝缘层设置在第一缓冲层上，并覆盖设置在第一缓冲层上的多晶硅，第二栅极绝缘层设置在第一栅极绝缘层上，第二缓冲层设置在第二栅极绝缘层上，第二缓冲层上用于设置氧化物薄膜晶体管中的氧化物。本发明提供的显示基板能够减小衬底翘曲变形的程度，提高产品的生产效率，并能够降低制备工艺的复杂度及成本。
本发明授权显示基板在权利要求书中公布了：1.一种显示基板，其特征在于，包括第一缓冲层、第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层和第二缓冲层，所述第一缓冲层上用于设置多晶硅薄膜晶体管中的多晶硅，所述第一栅极绝缘层设置在所述第一缓冲层上，并覆盖设置在所述第一缓冲层上的所述多晶硅，所述第二栅极绝缘层设置在所述第一栅极绝缘层上，所述第二缓冲层设置在所述第二栅极绝缘层上，所述第二缓冲层上用于设置氧化物薄膜晶体管中的氧化物； 所述第二栅极绝缘层包括第一子绝缘层和第二子绝缘层，所述第一子绝缘层设置在所述第一栅极绝缘层上，所述第二子绝缘层设置在所述第一子绝缘层上，所述第二缓冲层设置在所述第二子绝缘层上； 所述第二子绝缘层中的硅元素与氮元素的比值大于所述第一子绝缘层中的硅元素与氮元素的比值； 所述第二子绝缘层中的硅氢键的含量小于所述第一子绝缘层中的硅氢键的含量。
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