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北京万应科技有限公司;厦门云天半导体科技有限公司鲁瑶获国家专利权

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龙图腾网获悉北京万应科技有限公司;厦门云天半导体科技有限公司申请的专利一种超声换能器阵列封装结构和制作方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114682468B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202011593276.7,技术领域涉及:B06B1/02;该发明授权一种超声换能器阵列封装结构和制作方法是由鲁瑶;于大全;万里兮设计研发完成,并于2020-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。

一种超声换能器阵列封装结构和制作方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种超声换能器阵列封装结构及其制作方法,超声换能器阵列封装结构包括基体、金属化框架、以及位于金属化框架内的超声换能器阵列,基体设置在金属化框架的上方;金属化框架、超声换能器阵列、以及基体通过低温键合技术形成互联;基体包括焊点、钝化层、以及嵌入钝化层内的金属互连层,焊点在基体相对于金属化框架方向的另一侧;金属化框架与超声换能器阵列之间的空隙及表面,填充和覆盖有声学匹配层。本发明利用了半导体工艺分别制作了基体和金属化框架,并利用半导体封装工艺中的低温键合技术对超声换能器阵列进行了封装,避免了超声换能器阵列经受高温半导体制程和高温键合过程而导致的失效问题。

本发明授权一种超声换能器阵列封装结构和制作方法在权利要求书中公布了:1.一种超声换能器阵列封装结构,其特征在于,包括基体11、金属化框架6、以及位于所述金属化框架6内的超声换能器阵列12,所述基体11设置在所述金属化框架6的上方; 所述金属化框架6、所述超声换能器阵列12、以及所述基体11通过低温键合技术形成互联,所述低温键合的键合温度低于超声换能器阵列12居里温度的一半,其中,对所述金属化框架6和所述基体11实施预键合或键合,将超声换能器阵列12放入金属化框架6中,与基体11形成预键合,通过低温键合技术,使所述金属化框架6、所述超声换能器阵列12、以及所述基体11完成键合,实现三者之间的结构和电学互联; 所述基体11包括焊点1、钝化层3、以及嵌入所述钝化层3内的金属互连层2,所述焊点1在基体11相对于金属化框架6方向的另一侧; 所述金属化框架6与所述超声换能器阵列12之间的空隙及表面,填充和覆盖有声学匹配层9。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人北京万应科技有限公司;厦门云天半导体科技有限公司,其通讯地址为:100029 北京市朝阳区北土城西路3号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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