上海华力集成电路制造有限公司张凯获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利填充单元的版图设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114692549B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210235437.8，技术领域涉及：G06F30/392；该发明授权填充单元的版图设计方法是由张凯;王飞舟设计研发完成，并于2022-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本填充单元的版图设计方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种填充单元的版图设计方法，提供不同的第一、二标准单元，第一、二标准单元分别由沿基准线对称的第三、四标准单元和第五、六标准单元组成，第一、二标准单元分别在基准线处的版图形状相同；设计第三标准单元，第三标准单元的版图与沿基准线相拼接的第三、六标准单元形状相同；在第一、二标准单元间插入第三标准单元。本发明实现一套标准单元库适用两种设计标准平台，提高了开发效率，节约开发成本，优化了标准单元库的设计开发流程。
本发明授权填充单元的版图设计方法在权利要求书中公布了：1.一种填充单元的版图设计方法，其特征在于，至少包括： 步骤一、提供用于不同设计标准的第一、二标准单元，所述第一、二标准单元分别在基准线处的所述设计标准相同； 步骤二、设计第三标准单元，所述第三标准单元的版图左、右部分的设计标准分别与所述第一、二标准单元沿所述基准线的左、右部分的所述设计标准相同，其中，所述第三标准单元包括：第三标准单元边界层，位于于所述第三标准单元边界层内的第三有源区图形，依次等距分布在所述有源区图形内的第三栅极图形，依次等距分布在所述有源区图形上的第三栅极图形，其中所述第三有源区图形的一端与所述第三标准单元边界层共用同一边界，一端的所述第三栅极图形与共用边界的所述第三有源区图形和所述第三标准单元边界层部分重叠，另一侧所述第三栅极图形与所述第三有源区图形共用同一边界； 步骤三、在第一、二标准单元间插入第三标准单元。
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