新唐科技股份有限公司陈柏安获国家专利权
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龙图腾网获悉新唐科技股份有限公司申请的专利自举式二极管以及半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695346B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110654057.3，技术领域涉及：H10D84/40；该发明授权自举式二极管以及半导体装置是由陈柏安设计研发完成，并于2021-06-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本自举式二极管以及半导体装置在说明书摘要公布了：一种包括自举阴极端以及自举阳极端自举式二极管，包括结型场效应晶体管、P型晶体管以及二极管。结型场效应晶体管包括耦接至接地端的第一栅极端、第一源极漏极端以及耦接至自举阴极端的第二源极漏极端。P型晶体管包括耦接至接地端的第二栅极端、耦接至接地端的第三源极漏极端以及耦接至自举阳极端的第四源极漏极端。二极管包括耦接至结型场效应晶体管的第一源极漏极端的阴极端以及耦接至自举阳极端的阳极端。本申请有助于降低电路的复杂度以及电路面积，能够提供可观的顺向导通电流，抵挡较高的逆向偏压，并且显著的降低漏电至基板的电流。
本发明授权自举式二极管以及半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种自举式二极管，其特征在于，包括一自举阴极端以及一自举阳极端，其中所述自举式二极管包括： 一结型场效应晶体管，包括耦接至一接地端的第一栅极端、一第一源极漏极端以及耦接至所述自举阴极端的一第二源极漏极端； 一P型晶体管，包括耦接至所述接地端的第二栅极端、耦接至所述接地端的一第三源极漏极端以及耦接至所述自举阳极端的一第四源极漏极端；以及一二极管，包括耦接至所述第一源极漏极端的阴极端以及耦接至所述自举阳极端的阳极端。
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