TCL科技集团股份有限公司丘洁龙获国家专利权
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龙图腾网获悉TCL科技集团股份有限公司申请的专利一种发光二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695741B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011639727.6，技术领域涉及：H10K71/12；该发明授权一种发光二极管及其制备方法是由丘洁龙设计研发完成，并于2020-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种发光二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种量子点发光二极管及其制备方法，其中，所述制备方法包括步骤：在预制器件上沉积空穴传输材料溶液，所述空穴传输材料为PVK；在所述预制器件的上下方向施加第一电场，对所述空穴材料溶液进行第一加热处理，在所述预制器件上形成空穴传输层。本发明以PVK作为空穴传输层材料，通过在电场和高温共同作用下，对空穴传输层进行退火，可有效提升量子点发光二极管的光电性能。
本发明授权一种发光二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管的制备方法，其特征在于，包括步骤： 在预制器件上沉积空穴传输材料溶液，所述空穴传输材料为PVK； 将表面沉积有空穴传输材料溶液的预制器件和有机溶剂水平间隔放置在密封空间中，所述有机溶剂为可溶解所述空穴传输材料的溶剂； 在所述预制器件的上下方向施加第一电场，对所述空穴传输材料溶液进行第一加热处理，在所述预制器件上形成空穴传输层； 将所述预制器件从所述密封空间中取出； 在所述预制器件的上下方向施加第二电场并对所述预制器件上的空穴传输层进行第二加热处理； 所述第一电场的强度为10‑50 Vmm。
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