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龙图腾网获悉TCL科技集团股份有限公司申请的专利一种量子点发光二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695817B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011630860.5，技术领域涉及：H10K71/12；该发明授权一种量子点发光二极管及其制备方法是由宋音洁;周礼宽;杨一行设计研发完成，并于2020-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种量子点发光二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法，所述制备方法通过量子点发光层上沉积金属氧化物的醇溶液；在所述金属氧化物的醇溶液上制备双端基有机物溶液；所述双端基有机物的端基分别为能与羟基发生反应的官能团；在所述双端基有机物溶液上沉积羟基聚合物溶液，并进行退火处理，在所述量子点发光层上依次形成金属氧化物层、连接层以及聚合物层。通过双端基有机物将羟基聚合物与醇类溶剂连接，从而使最终得到量子点发光二极管的聚合物层与作为电子传输层的金属氧化物层完全无缝连接，降低了聚合物层与电子传输层之间的界面势垒，减少电荷积累，减缓由于电荷在界面处的积累而导致的材料衰退，有利于提高器件发光效率和寿命。

本发明授权一种量子点发光二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括步骤： 在阳极衬底上制备量子点发光层； 在所述量子点发光层上沉积金属氧化物溶液，所述金属氧化物溶液包括醇类溶剂以及分散在所述醇类溶剂中的金属氧化物； 在所述金属氧化物溶液上制备双端基有机物溶液，所述双端基有机物的结构式为X1‑R‑X2，其中，R为烃基，X1和X2分别为能与羟基发生反应的官能团； 在所述双端基有机物溶液上沉积羟基聚合物溶液，并进行溶剂蒸发处理，在所述量子点发光层上形成金属氧化物层以及聚合物层；其中，双端基有机物的其中一个端基与醇类溶剂的羟基反应，另一个端基与羟基聚合物的羟基反应，从而使连接了醇类溶剂分子的双端基有机物接枝到聚合物上，成为聚合物上的支链；聚合物的支链从聚合物层经连接层延伸至金属氧化物层，金属氧化物晶体镶嵌在所述支链中间； 在所述聚合物层上制备阴极，制得所述量子点发光二极管； 所述双端基有机物溶液与所述聚合物溶液的沉积时间间隔为3min以内，所述溶剂蒸发处理与所述聚合物溶液的沉积的时间间隔为3min以内。

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