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龙图腾网获悉广州市众拓光电科技有限公司申请的专利一种百纳米级栅极及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114724930B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210218139.8，技术领域涉及：H01L21/027；该发明授权一种百纳米级栅极及其制备方法和应用是由李国强设计研发完成，并于2022-03-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种百纳米级栅极及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明涉及一种百纳米级栅极及其制备方法和应用。所述制备方法为在半导体外延片上溅射导电金属薄层，随后旋涂光刻胶，在半导体外延片上形成导电金属薄层光刻胶后，按照设计版图所需宽度的曝光区域进行电子束曝光，观察光刻胶的截面，计算栅极凹槽区域截面上下表面的宽度差，将设计版图的所需栅极宽度减去宽度差，形成新的设计版图；重复光刻步骤，按照新的设计版图的曝光区域进行电子束曝光，随后刻蚀形成栅极凹槽，剥离光刻胶并刻蚀导电金属薄层，经电子束光刻、蒸镀和剥离形成栅金属电极。本发明采用线宽补偿设计的方式使最终制备的栅极宽度最大限度的接近于所需的栅极宽度，提高了电子束曝光方式制备百纳米级光栅的精确度。

本发明授权一种百纳米级栅极及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种百纳米级栅极的制备方法，其特征在于，在半导体外延片上溅射导电金属薄层，随后旋涂光刻胶，在半导体外延片上形成导电金属薄层光刻胶后，按照设计版图所需宽度的曝光区域进行电子束曝光，观察光刻胶的截面，计算栅极凹槽区域截面上下表面的宽度差，将设计版图的所需栅极宽度减去宽度差，形成新的设计版图；重复光刻步骤，按照新的设计版图的曝光区域进行电子束曝光，随后刻蚀形成栅极凹槽，剥离光刻胶并刻蚀导电金属薄层，经电子束光刻、蒸镀和剥离形成栅金属电极； 具体包括如下步骤： 步骤1：对半导体外延片进行清洗、烘干后，蒸镀导电金属薄层； 步骤2：在步骤1的导电金属薄层上旋涂光刻胶，并进行后烘坚膜处理； 步骤3：对导电金属薄层光刻胶结构的半导体外延片按照设计版图所需宽度的曝光区域进行电子束曝光，并进行曝光后烘； 步骤4：进行显影、定影处理，干燥后暴露出栅极凹槽区域； 步骤5：对半导体外延片光刻胶截面进行制样，观测其截面形貌并计算栅极凹槽区域截面的上下表面宽度差； 步骤6：修改设计版图，将设计版图所需宽度减去步骤5中的上下表面宽度差，形成新的设计版图； 步骤7：重复步骤1‑2，采用新的设计版图对形成的导电金属薄层光刻胶结构的半导体外延片的曝光区域进行电子束曝光，并进行曝光后烘； 步骤8：进行显影、定影处理，干燥后暴露出栅极凹槽区域； 步骤9：采用干法刻蚀，刻蚀出步骤8中的栅极凹槽区域； 步骤10：剥离光刻胶后湿法刻蚀导电金属薄层； 步骤11：通过电子束光刻、蒸镀和剥离形成栅金属电极。

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