湖州久鼎电子有限公司维尼辛格获国家专利权
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龙图腾网获悉湖州久鼎电子有限公司申请的专利一种微波磁传感器及其测量方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114779133B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210123309.4，技术领域涉及：G01R33/09；该发明授权一种微波磁传感器及其测量方法是由维尼辛格;陈林峰;陈锦华;潘峰;魏锦烨;李敏;韩文都设计研发完成，并于2022-02-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种微波磁传感器及其测量方法在说明书摘要公布了：一种微波磁传感器，包括：两个半波长谐振器，每个所述半波长谐振器是一段传输线，其长度等于其基模谐振频率对应的波长的一半，两个所述半波长谐振器具有相同的长度和相同的所述基模谐振频率；一个磁阻元件，所述磁阻元件位于两个所述半波长谐振器之间，并与两个所述半波长谐振器等距对称间隔，所述磁阻元件与两个所述半波长谐振器的端部构成耦合电容器，两个所述半波长谐振器通过所述耦合电容器耦合。本发明提供的微波磁传感器，可以根据微波磁传感器的第一谐振频率的变化来确定外部磁场，由于谐振结构的谐振频率可以精准测量，因此本发明提供的微波磁传感器比现有的基于惠斯通电桥的磁阻传感器具有更高的灵敏度和准确度。
本发明授权一种微波磁传感器及其测量方法在权利要求书中公布了：1.一种微波磁传感器，包括： 两个半波长谐振器，每个所述半波长谐振器是一段传输线，其长度等于其基模谐振频率对应的波长的一半，两个所述半波长谐振器具有相同的长度和相同的所述基模谐振频率； 一个磁阻元件，所述磁阻元件位于两个所述半波长谐振器之间，并与两个所述半波长谐振器等距对称间隔，所述磁阻元件与两个所述半波长谐振器的端部构成耦合电容器，两个所述半波长谐振器通过所述耦合电容器耦合。
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